一种应变半导体沟道的形成方法 --中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出专利

专利名称:	一种应变半导体沟道的形成方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110171241.9
申请日期:	2011-06-23
专利号:	201110171241.9
第一发明人:	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

中国科学院微电子研究所版权所有邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1