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专利名称: 一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210495667.4
申请日期: 2012-11-18
专利号: 201210495667.4
第一发明人: 刘洪刚;韩乐;薛百清;孙兵;王盛凯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201210495667.4
专利摘要:
其它备注: 高频高压中心
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