2017年11月3日晚19时，中科院微电子所研究员赵超老师做客我院主办的“集成电路新技术及应用”系列讲座，在教一207教室为国科大学子带来了一场题为“延伸摩尔定律---CMOS工艺技术的历史沿革和未来展望”的精彩讲座。
赵超，中国科学院微电子研究所研究员，集成电路先导工艺研发中心主任，主要从事集成电路先导工艺的研发。曾在欧洲微电子研发中心（IMEC）任资深科学家。期间，参加IMEC组织的具有重大国际影响力的集成电路先导工艺研发工业联盟项目。在高-k金属栅，铜互连，铜接触，三维穿硅通孔封装等邻域做出重要工作，先后在国际学术期刊和会议上发表科研论文130余篇，总体引用率超过1000次，完成发明专利申请80项，其中已获美国欧洲专授权5项。
赵超老师将计算机的发展史作为引子，从图灵到冯诺依曼，到里程碑式的4004处理器面世到Microsoft Windows的诞生，向同学们展示了摩尔定律对世界的改造。赵老师指出，为了实现摩尔定律的小型化战略，设计者必须关注CMOS的速度，功耗，集成度和阈值电压，这就要求流片的各个环节技术的革新。赵老师以数据，图表的形式，向同学们详细讲解了主要制约摩尔定律的光刻技术在线宽，产能，套刻精度方面的不断发展。从浸没式光刻机，二次曝光技术到下一代光刻技术—极紫外光刻机，光刻技术的发展延长了摩尔定律的寿命。在逻辑器件方面，应变工程，降低漏电功耗的高-k金属栅，抑制短沟道效应的FinFETs，作为近年来先进的技术，不断运用到生产中，拯救了人们对摩尔定律的信心。
展望未来的逻辑器件，赵老师指出FinFET向纳米线FETs过渡，高迁移率FinFETs，竖直纳米线FETs可能是未来研究的方向。但在后冯诺依曼时代，CMOA器件在工艺方面迟迟无法突破，摩尔定律已显疲态，未来的发展方向还不明朗。赵老师以他对工艺研发前沿发展现状的理解，不断启发着同学们对未来逻辑器件发展方向的思考。
赵超老师以摩尔定律为切入点，介绍了CMOS工艺技术的历史沿革和后MOS时代技术展望两方面内容。用深入浅出的语言，幽默风趣的表达方式，带领同学们走进了摩尔定律的世界。
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