有机器件低温柔性薄膜封装研究获显著进展

　　近日，中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室（八室）刘键、刘杰、冷兴龙、屈芙蓉等科研人员组成的有机电子柔性封装课题组联合中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所在有机电子器件低温柔性薄膜封装ICP-PECVD系统研究上取得显著进展。

　　有机电子器件具有轻、柔、薄等特色，有机电子产品市场前景广阔，是当今国际研究热点之一。有机电子器件金属阴极及部分功能材料对水氧特别敏感，使得有机电子器件封装特别是柔性封装成为技术难点。具有有机/（过渡层）/无机交替结构的柔性薄膜封装是有机电子器件封装的最佳选择之一。柔性薄膜封装要求封装温度低于120^oC、有机/无机薄膜同源同室生长、封装层水氧阻挡性强。

　　针对上述要求，该研究团队设计并研制了一套有机电子低温柔性薄膜封装ICP-PECVD系统。通过调节生长气氛在相同的前驱体条件下分别实现有机、过渡、无机薄膜的同腔沉积。沉积时样品台温度控制在80^oC左右。沉积薄膜厚度均一，6寸硅片厚度均匀性达0.52%；沉积薄膜表面平整，薄膜表面粗糙度Ra可低至0.33nm；单个周期有机/无机交替结构薄膜封装层水汽渗透率达3.66×10-4g/m²/day（已超出北京印刷学院水氧渗透率测试仪10-4g/m²/day测试极限）。

图1 ICP-PECVD系统

(a)　　　　  　　　 　 (b)　　　　　　　  　　  (c)

图2有机、无机薄膜沉积前后6寸硅片照片

（a）沉积前，（b）无机，（c）有机

(a)　　　　　　　　　　 (b)

图3 沉积前后PET照片

（a）沉积前，（b）沉积后

图4 水汽渗透率测试结果