一、 项目名称
高频段5G基站用功率放大器试验样片及模块研发
二、供应商选择情况说明
中国科学院微电子研究所为完成国家科技重大专项“高频段5G基站用功率放大器试验样片及模块研发”项目课题任务，需要研发9-15GHz满足5G基站需求的功率放大器样片和射频模块，其中射频模块的加工内容包括对6寸GaAs晶圆进行多次划片和对功率放大器芯片进行低损耗高密度封装，划片要求芯片完整、边缘整齐、表面干净无划伤及污染；封装要求模块实现高密度集成的同时优化散热性能、降低高频寄生、减小电路射频性能损耗。
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司配置了领先的划片设备、贴片设备、倒装设备和塑封机设备，为累计50家客户提供晶圆减薄、划片的工程批、高密度低损耗电路模块封装，具有丰富的划片、封装设计和加工经验。经过三方报价，①华进半导体封装先导技术研发中心有限公司96万元，②泰州海天电子科技股份有限公司97.8万元，③成都芯锐科技有限公司100.6万元。通过对比华进半导体封装先导技术研发中心有限公司在价格上具有明显优势，同时在技术指标上满足中国科学院微电子研究所加工需求。可以完成本项目的6寸GaAs晶圆的多次划片和9-15GHz功率放大器模块封装设计和加工。
因此，综合比较技术能力和报价，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司是该项目的理想供应商。
该项目拟从华进半导体封装先导技术研发中心有限公司采购。
征求意见期限从2017年12月5日至2017年12月11日止。
本项目公示期为2017年12月5日至2017年12月11日。有关单位和个人如对公示内容有异议，请在2017年12月11日15:00（北京时间）之前以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式反馈至中国科学院微电子研究所，地址：北京朝阳区北土城西路3号，邮编：100029，联系电话：82995706。
中国科学院微电子研究所
2017.12.5
综合信息