一、项目名称
射频功率场效应晶体管流片加工服务项目。
二、单一来源外包理由说明
中国科学院微电子研究所开发的X7N65DM型射频功率场效应晶体管是一款高压N沟增强型射频场效应管，具有大功率、高增益、高效率及高可靠的特点，在5G移动通信、电子电力及射频能源领域有广泛应用。该产品设计开发是依托北京燕东微电子科技有限公司的射频工艺平台，采用非标准、定制化的射频MOSFET特色工艺加工。目前产品的器件设计和工艺设计已磨合成熟，为产品在5G移动通信等应用领域的广泛应用提供了必要条件，为实现大功率、高增益、高效率及高可靠的国产化射频产品批量供货提供了必要保障。
北京燕东微电子科技有限公司隶属于北京电子控股集团公司，为市属中型国有企业，是一家涵盖集成电路设计、制造、销售于一体的IDM高科技公司，目前拥有1条8英寸晶圆生产线、一条6英寸晶圆生产线以及一条年产80亿只的超小型封装生产线和现成封装线，提供先进的射频工艺设计和非标准化工艺的定制开发服务，是国内唯一可以满足该产品特殊工艺要求且完全自主可控的晶圆代工厂，能够满足该型号产品对大功率、高增益、高效率及高可靠等射频全部性能指标的工艺加工要求。因此，采用单一来源的方式委托北京燕东微电子科技有限公司进行流片加工服务。
三、该项目拟外包给北京燕东微电子科技有限公司。
四、征求意见期限从2021年9月1日至2021年9月7日止。
本项目公示期为2021年9月1日至2021年9月7日。有关单位和个人如对公示内容有异议，请在2021年9月7日17:00（北京时间）之前以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式反馈至中国科学院微电子研究所质量处，地址：北京朝阳区北土城西路3号，邮编：100029，联系电话：82995527。
中国科学院微电子研究所
2021年8月27日
综合信息