应用材料公司推出面向3D芯片结构的先进离子注入系统

　　应用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VII Sta 9003D系统。作为业内领先的中电流离子注入设备，该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3DNAND制程而开发，具有超凡的控制能力，可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化，降低可变性，提高良率，是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。　　 

　　VIISta9003D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度，并且还能够出色的控制离子剂量和均匀性，从而帮助客户实现制程的可重复性，优化器件性能。该系统采用独特的热注入技术和三重磁场结构，可通过降低缺陷率来进一步提高良率。凭借这些优势，VIISta9003D系统能胜任复杂3D结构生产中所需的精确离子注入。　　 

　　应用材料公司维利安半导体设备事业部副总裁兼总经理GaryRosen表示：“为满足消费者对移动设备日益上升的需求，芯片制造商致力于生产更高性能、更低功耗的设备，同时他们也面临着工艺日趋复杂的挑战。为此，我们针对3D结构专门开发了这款VIISta9003D离子注入机，通过实现最纯净、最精确的离子注入，提高设备性能和良率，帮助客户应对最严峻的器件挑战。”　　 

　　VIISta9003D系统的一个最重要的创新就是Superscan3技术，它可以借助独特的离子束形状控制能力，根据客户需要提供精确、精准的剂量方案，能完成几乎所有图案，实现定制化的硅片剂量图形。Superscan3还能对非注入工艺中的变量进行校正，从而提高3D器件的性能和良率。此外，加上该系统对于生产率的提升以及其极高的产出率，可为客户带来显著的成本优势。　　 

　　VIISta9003D系统的推出进一步加强了应用材料公司在FinFET和3DNAND设备制造领域的领先优势，其高精度、低污染的性能表现尤其适用于CMOS图像传感器二极管和逻辑层的掺杂，因此它将会在移动计算领域有着日益广泛的应用。