国家重点研发计划“高密度阻变存储器材料及器件集成技术研究”项目启动会召开

　　11月5日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“高密度阻变存储器材料及器件集成技术研究”项目启动会在微电子所召开。科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅、主管杨斌，微电子所党委副书记（主持工作）、副所长戴博伟出席会议。项目责任专家周彬教授、石瑛教授，项目咨询专家钱正洪教授、杨中民教授、孙志梅教授、韩秀峰研究员、宋志棠研究员以及项目组科研骨干参加了会议。 

　　会上，戴博伟对高技术中心领导和项目专家的支持表示感谢，对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要围绕关键技术开展创新突破。他代表微电子所向项目咨询专家颁发了聘书。 

　　项目负责人、微电子所研究员张锋汇报了项目的总体情况和实施方案。杨斌针对项目管理工作作了报告，从项目部署、管理方案、实施过程中的问题和原因等几个方面对重点研发计划的项目管理工作做了详细介绍。与会专家听取项目汇报后，对项目的布局进行了肯定，对项目的具体实施提出了宝贵意见。 

　　“新型高密度存储材料与器件”项目简介 

　　该项目面向国家信息领域对高性能存储器技术的重大战略需求，拟开展面向高密度存储的阻变存储器（RRAM）研究，目标突破若干个制约纳米阻变存储器高密度集成、性能优化以及集成架构的关键瓶颈，对促进我国先进存储技术的发展起到基础性支撑作用。