微电子所参加中科院青促会2020年学术年会暨“青促会讲堂”

　　10月27—31日，中科院青年创新促进会2020年学术年会暨“青促会讲堂”在武汉召开。微电子所青促会组长王盛凯研究员、副组长彭松昂副研究员、秘书组卜建辉副研究员代表微电子所青促会参加了会议。 

　　王盛凯出席了中科院青促会年度工作会议，与院内各兄弟单位的青促会代表共同学习了习近平总书记和白春礼院长的讲话，学习了优秀分会及优秀小组的先进经验，并就青促会建设中的遇到的问题和解决方案同与会代表进行了分享和讨论。 

　　在工程与装备分会场，王盛凯作了题为《基于高压微波等离子体氧化方法的新型SiC MOS栅氧技术》的报告，介绍了SiC MOS所面临的难点问题以及基于高压微波等离子体的新型氧化方法，探讨了该方法在解决SiC MOS栅氧中碳残留缺陷方面的优势。 

　　彭松昂主持了信息与管理科学分会场，并作了题为《石墨烯射频场效应晶体管研究”的报告》，介绍了当前石墨烯射频场效应晶体管面临的挑战及研究现状，报告了石墨烯射频场效应晶体管关键工艺及器件物理方面的研究成果。 

      与会人员就感兴趣的话题进行了深入讨论。本次会议对推动微电子与兄弟院所的交流合作、促进交叉创新发挥了积极作用。