3月20日，中国集成电路创新联盟召开“2021集成电路产业链协同创新发展交流会”。由中国科学院微电子研究所和长江存储科技有限责任公司联合研发的两款“128层3D NAND三维闪存芯片”（X2-9060和X2-6070）荣获“IC创新奖”之“技术创新奖”。
在国家科技重大专项02专项的支持下，微电子所与长江存储长期产研合作，于2020年研发成功128层3D NAND三维闪存产品。该产品采用独具创新的Xtacking技术，成功解决了存储阵列与读写电路的分离加工和整合集成的技术难题，突破了传统存储器工艺瓶颈，产品存储密度和最高数据吞吐速率均达到世界顶尖水平。以Xtacking技术为核心的128层闪存产品的成功研发，标志着我国已掌握具有自主知识产权的存储器核心技术，在大容量非挥发存储器产品研发领域达到与国际一流存储器设计制造公司齐头并进水平，为实现高端闪存产品的全面国产化并参与国际市场竞争奠定了坚实的技术基础。3D NAND闪存系列产品的成功推出，展现了国家科技重大专项的引领作用，通过加强国内存储芯片龙头企业与科研院所的合作实现技术突破，带动产业链上下游协同发展，驱动集成电路全产业创新能力的跨越升级。
“技术创新奖”重点表彰在集成电路重大技术创新和关键技术开发方面取得重大突破的单位和团队。奖项采取“委员独立”提名制并结合顶级权威专家“独立评审”产生，含金量极高。128层三维存储器成功获奖，充分体现了国内产研各界专家对我国自主研发的三维存储器技术的持续关注和高度肯定。
第四届"IC创新奖“技术创新奖
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