近日，2024年IEEE国际电子器件大会（IEDM 2024）在美国旧金山召开。集成电路制造技术全国重点实验室6篇学术论文入选，研究成果覆盖了IGZO 3D DRAM、铁电存储器、器件物理与模型、生物传感应用等多项学术前沿领域，这是微电子所连续11年在IEDM大会上发表论文。其中，关于“IGZO-TFT阵列的生物传感应用”论文获选Top Ranked Student Paper。
在IGZO 3D DRAM研究方向发表论文2篇，内容包括：1）首次展示了基于氧化物晶体管的4层堆叠3D DRAM存储单元（论文题目：First Demonstration of 4-layer Stacked Planar Channel-All-Around (P-CAA) IGZO FETs with Cost-effective Process for High-density 1T1C 3D DRAM，助理研究员李伟伟、硕士生顾宸、产业界作者为共同第一作者，李泠研究员、耿玓研究员及产业界作者为通讯作者。）；2）设计了基于钽电极的自氧化自对准工艺，首次实现了垂直双栅2T0C单元的单片集成，（论文题目：Novel 4F2 Multi-bit Dual-gate 2T0C for High-density DRAM with Improved Vertical-channel IGZO TFTs by Self-aligned Single-step Process，博士生廖福锡、产业界作者为第一作者，李泠研究员、杨冠华副研究员以及产业界作者为通讯作者。）
在铁电存储器研究方向发表论文1篇，内容包括：具有超高存储窗口(10V)和出色耐久性(109)的BEOL兼容(300℃退火)的IGZO-FeFET器件，（论文题目：A Fully BEOL-compatible (300℃ Annealing) IGZO FeFET with Ultra-high Memory Window (10V) and Prominent Endurance (109)，博士研究生徐盼为第一作者，罗庆研究员和姜鹏飞副研究员为通讯作者。）
在器件物理与模型研究方向发表论文2篇，内容包括：1）基于第一性原理计算，揭示了接触氧化层的形成机制及对接触电阻（RC）的影响；发展高效RC提取方法与紧凑模型，实现精确2T0C DRAM电路仿真（论文题目：Deep Insights into Interlayer in TiN/IGZO Contact and Its Impact on Contact Resistance of CAA FETs: First-Principles Calculation, Experimental Study and Modeling，博士生赵越、徐丽君为共同第一作者，吴振华研究员、汪令飞研究员和李泠研究员为共同通讯作者。）2）首次实现了基于机器学习势函数的大体系分子动力学刻蚀工艺仿真，（论文题目：First large-scale (68×25×5 nm3) atomistic modeling for accurate and efficient etching process based on machine learning molecular dynamics (MLMD)，冯泽萌助理工程师、博士生呼子义、余童助理工程师为文章共同第一作者，陈睿研究员、李俊杰正高级工程师为通讯作者）。
在生物传感应用研究方面发表论文1篇，内容包括：提出双栅阈值电压调制解决多目标生物传感器阵列初始偏移干扰的方案，将初始电流漂移降低3个数量级，（论文题目：Dual-gate IGZO FET Sensor Array for Multi-biomarker Detection Achieving Ultra High Sensitivity with 4.426%/decade of ssDNA and 1102 nA/decade of Protein CA125，获选Top Ranked Student Paper。博士生李垚为第一作者，郑州大学杨潇楠教授、张文昌副研究员和张锋研究员为通讯作者。）
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