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微电子所在存内计算处理器上取得进展
2024-07-09
存内计算(CIM)芯片相比传统冯诺依曼架构芯片在宏单元层级实现了高能效,但系统层级的复杂周边电路使得系统能效仍然受限,系统/宏单元能效比通常低40%,使其在面向神经网络和推荐系统应用领域仍然存在一些挑战。此外,对存储主导(例如推荐系统的嵌入层)的操作,需要大量的片外访问,由于嵌入表不能被完全存储到片上,即使采用内...
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微电子所在新结构p-GaN栅极HEMT器件和电路级可靠性研究方面取得重要进展
2024-07-08
近日，中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD），其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣获大会唯一最佳青年学者奖（ISPSD Ch...
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微电子所在高吞吐率SRAM存内计算处理器芯片领域取得进展
2024-07-07
目前,ChatGPT等大型AI算法的出现对计算设备性能提出了更高要求。存内计算(CIM)有效缓解了传统冯诺依曼架构中的内存墙问题。尽管无法完全解决存储墙问题,但CIM架构通过定制化设计方法将存储单元和计算电路结合在一起,本质上提高了操作数的传输带宽,大大降低了这部分数据的传输代价。近年来,许多具有高计算能效的数字CIM架...
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微电子所在IGZO DRAM后道集成的三维存储研究领域上取得进展
2024-07-06
人工智能的飞速发展对计算和存储等硬件资源提出了巨大需求,迫切需要提升存储器层级访问的性能与效率。当前,主流计算硬件的存储系统由片上静态随机访问存储器(SRAM)以及片下随机动态存储器(DRAM)构成,它们之间通过有限的总线来进行数据传递,导致带宽有限、功耗与延迟较大等问题,逐渐成为大数据、高算力等人工智能应用的瓶...
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化学所在印刷光电逻辑器件研究方面获进展
2024-07-01
光电逻辑器件因高速信息传输、高带宽和低功耗等优势被认为是下一代逻辑电路的理想模型。得益于钙钛矿材料的可调带隙和溶液处理等优势，钙钛矿异质结构可以对不同波长入射光产生差异化的光电响应信号，并可与印刷技术兼容，具有低成本和大规模制造等优点，可用于制备光电逻辑器件。然而，目前的光电逻辑器件通常由两个以...
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亚纳米尺度全暴露Pt团簇高效催化多步加氢研究获进展
2024-06-19
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心研究员刘洪阳、副研究员刁江勇和博士研究生司阳等，联合北京大学教授马丁、中国科学院山西煤炭化学研究所研究员温晓东、香港科技大学教授王宁等，在富缺陷石墨烯载体表面精准构建了全暴露Ptn团簇催化剂，实现了高效催化2。
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微电子所在《中国科学：国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文
2024-06-14
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。近十几年,为突破更小技术节点下的微缩挑战,晶体管结构创新成为了技术发展的主要路径,从平面晶体管演进到鳍式场效应晶体管,再到最新3nm技术节点下的堆叠纳米沟道全环绕栅极FET(GAAFET),通过晶体管内部沟道...
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微电子所在全自旋神经形态计算硬件研制及电路实现方面取得新进展
2024-06-14
神经形态计算因其在AI和大数据分析中的巨大应用潜力, 在全球范围内引起了广泛关注。为克服传统CMOS晶体管技术局限,科研人员长期致力于探索基于新型非易失性存储器(NVMs)和自旋电子器件的硬件实现方案。目前,已有多种类型的NVMs被用于实现神经网络中各种运算并显示出广阔前景,其中自旋电子器件凭借自身丰富和可控的自旋动...
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微电子所在氮化镓基MIS-HEMT器件的阈值电压不稳定性机理研究方面取得重要进展
2024-06-14
近日,微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队联合香港科技大学、北京大学和西安电子科技大学在应用物理领域国际权威期刊Applied Physics Reviews上发表了综述文章《III族氮化物异质结金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性研究:表征方法与界面工程》(Threshold voltage instability in III-nitr...
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物理所实现柔性碳纳米薄膜的透明导电协同提升和大面积制备
2024-05-29
未来，电子、光电、能源等领域需要大面积柔性透明导电薄膜（TCF）。由于铟是不可再生资源且价格昂贵以及氧化铟锡固有的脆性，现代技术广泛应用的氧化铟锡TCF难以满足科技发展尤其是新一代柔性电子器件的需求。目前，科学家已开发出碳纳米薄膜、金属纳米线、导电高分子等替代氧化铟锡的透明导电材料。其中，碳纳米薄膜被...
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长春光机所等在高维光场探测领域取得重要进展
2024-05-17
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所李炜团队在高维光场探测领域取得重要进展。5月15日，相关研究成果以Dispersion-assisted High-dimensional Photodetector为题，发表在《自然》（Nature）上。光场包含强度、偏振、频率、相位等多个维度的信息。其中，光谱探测与偏振探测包含物体的物质组成和表面形貌等信息，在...
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化学所在高效稳定的钙钛矿太阳能电池研究中取得进展
2024-05-14
钙钛矿材料光电性能优异，具有吸收系数高、光电特性可调、双极性输送能力优异的特点，同时兼具材料用量少、组件价格低廉、投资成本低的优点，这使钙钛矿光伏在应用场景上更有潜力。钙钛矿太阳能电池（pero-SCs）作为一种前景广阔的光伏技术受到广泛研究，其中载流子的提取和转移对器件性能至关重要。中国科学院化学研究...
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科学家实现3D打印石墨烯微型超级电容器构筑与单片集成
2024-05-13
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组研究员吴忠帅团队与中国石油大学教授吴明铂团队合作，在3D打印石墨烯微型超级电容器研究方面取得进展，开发出适用于3D打印的高质量无添加剂石墨烯油墨。然而，现有的3D打印石墨烯油墨均涉及氧化石墨烯以及各类添加剂，这降低了器...
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上海硅酸盐所在锆酸铅基反铁电材料的极化序构研究方面获进展
2024-05-10
反铁电钙钛矿氧化物中自发极化具有丰富的调制序构，在电场激励下可以实现反铁电态和铁电态之间的可逆或不可逆转变，并伴随强烈的电荷、体积或热量变化，成为储能、换能和驱动等应用的关键物理基础。近日，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员许钫钫带领的材料透射电镜显微结构表征团队联合研究员王根水率领的铁电陶瓷材料...
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位相调控光电耦合奇异点增强的磁子频率梳研究获进展
2024-05-10
通过光电耦合位相调控以提升基于磁子的频率梳的产生效率，创造了迄今为止磁子体系中频率梳齿数的最高纪录。光学频率梳提高了频率测量的精度，在卫星导航、精密距离测量、原子钟和分子识别等领域具有重要作用。光学频率梳的应用推进了其他物态频率梳的研究。电子自旋集体激发形成的磁子具有免疫焦耳热的优势，其灵活的自...
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物理所发展出金模板辅助剥离法构筑大面积二维材料及莫尔超晶格
2024-05-10
莫尔超晶格是由两个或多个单层/少层二维材料以一定的层间转角堆叠在一起而形成的一类新颖的关联电子材料体系。莫尔超晶格体系具有强的电子关联和能带拓扑特性，展现出一系列衍生现象，如非常规超导、莫尔激子、滑移铁电、分数量子反常霍尔效应等。构筑高质量莫尔超晶格需要避免湿法转移过程，使得近年来发展的金膜辅助的...
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聚合物纳米分辨率掺杂研究取得进展
2024-05-09
聚合物半导体是新一代柔性光电子产业的基础材料，在高柔性逻辑电路、可植入智能感知器件、热电发电与制冷器件等方面具有应用前景。然而，现有方法受限于掺杂剂的各向同性扩散，掺杂空间分辨率仅可达亚微米尺度，制约了聚合物半导体纳米电子学以及相关超高密度集成器件的发展。中国科学院院士、化学研究所研究员朱道本与...
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上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术
2024-05-09
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》为题，发表在《自然》上。欧欣团队采用基于万能离子刀的异质集成技术，通过氢离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜...
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宁波材料所在柔性钙钛矿/硅叠层太阳能电池研究方面获进展
2024-05-08
作为光伏行业新兴的研究热点，钙钛矿/硅叠层太阳能电池的光电转换效率迅速提升。主要原因在于柔性钙钛矿/硅叠层太阳能电池的超薄硅底电池存在棘手问题，也就是说，由于减小硅厚度而导致严重的光吸收损失和强烈的表面反射，致使叠层器件短路电流密度损失，使得柔性叠层器件效率低下。近日，中国科学院宁波材料技术与工程...
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科学家在离子体化学气相沉积技术构筑金刚石-石墨材料研究方面获进展
2024-05-06
共价金刚石-石墨材料集合了金刚石和石墨的性质优势，能够实现超硬、极韧、导电等优越性能组合，在超硬和电子器件领域具有研究和发展价值。借助CVD技术构筑共价金刚石-石墨材料，探索金刚石和石墨两相界面的新奇物性受到研究人员的关注。中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心研究员黄楠团队与国外学者合作，利用...
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