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业内热点

层状半导体材料的拉曼散射理论和实验研究取得进展
2025-03-17

拉曼散射是探测材料中元激发(如声子)和电子(激子)-光子、电子(激子)-声子相互作用的重要工具。在声子拉曼散射的量子图像中,入射光子激发一系列中间电子激发态,随后产生或吸收声子并放出能量移动的散射光子。这些中间电子激发态在拉曼散射量子路径中发挥重要作用,决定电子-光子、电子-声子相互作用矩阵元。由于光波长一般...


厚度仅为头发丝直径的二十万分之一!我国科学家成功制备单原子层金属
2025-03-14

我国科研团队成功制备了多种单原子层金属,厚度仅为头发丝直径的二十万分之一。这一成果将有力推动二维金属领域科学研究,并在超微型低功耗晶体管、超灵敏探测等领域具有广阔应用前景。相关成果论文已在国际学术期刊《自然》发表。“二维材料是指仅有单个原子层或几个原子层厚度的材料。对二维材料的研究,引领了凝聚态物理...


科学家创新范德华挤压技术实现二维金属的普适制备
2025-03-14

自2004年单层石墨烯发现以来,二维材料引领了凝聚态物理、材料科学等领域的系列突破性进展,开创了基础研究和技术创新的二维新纪元。在过去20年中,二维材料家族迅速扩大,目前实验可获得的二维材料达数百种,理论预测的更是近2000种。然而,这些二维材料基本局限在范德华层状材料体系。原子薄极限的二维金属是近年来科...


科研人员开发出基于随机阻变存储器的深度极限点云学习机系统
2025-03-07

当前,边缘智能硬件系统正越来越多地将各种类型的视觉传感器集成于一体以提升系统性能。在边缘智能系统上对不同传感器输出的多模态数据进行分析,对各种新型应用如增强现实/虚拟现实、无人机等较为重要。这对软硬件系统提出了挑战。目前,多模态信号在数据结构上的异构性导致边缘系统开发具有较高复杂性,传统数字硬件的性能...


微电子所在多模态数据表示学习方面取得进展
2025-03-06

当前,边缘智能硬件系统正越来越多地将各种不同类型的视觉传感器集成于一体(包括3D激光雷达、神经形态动态视觉传感器以及传统相机)以提升系统性能。直接在边缘智能系统上对不同传感器输出的多模态数据进行分析,对于各种新型应用如增强现实/虚拟现实、无人机等都很重要,这一需求对软硬件系统的多个方面提出了挑战。比如,系...


有机自旋电子器件磁响应信号调控研究获进展
2025-02-27

近日,中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南团队在有机自旋电子学研究方面取得进展。该团队基于电光补偿策略,实现了室温下有机自旋电子学器件磁响应信号的宽范围调控以及器件的多功能性应用。相关研究成果以Room-Temperature Organic Spintronic Devices with Wide Range Magnetocurrent Tuning and Multifunctionalit...


科学家利用“搭积木”方式构建碳化硅片上异质集成量子光源
2025-02-27

中国科学院上海微系统与信息技术研究所在集成光量子芯片研究方面取得进展。该研究采用“搭积木”式混合集成策略,将III-V族半导体量子点光源与CMOS工艺兼容的碳化硅(4H-SiC)光子芯片异质集成,构建出新型混合微环谐振腔。这一结构实现了单光子源的片上局域能量动态调谐,并通过微腔的Purcell效应提升了光子发射效率,为光量...


微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展
2025-02-24

芯粒异构集成给半导体行业带来一次重大升级,能有效解决芯片设计制造中的诸多瓶颈。然而,高密度集成在降低算力芯片成本的同时也面临功耗显著增加、散热困难等技术挑战,热管理成为提升芯片性能的关键问题。如何针对芯粒异构集成的复杂性,提出新的热仿真方法,这对Chiplet热管理技术提出了新的要求。针对以上问题,微电子所ED...


有机自旋电子器件磁响应信号调控研究获进展
2025-02-24

近日,中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南团队在有机自旋电子学研究方面取得进展。该团队基于电光补偿策略,实现了室温下有机自旋电子学器件磁响应信号的宽范围调控以及器件的多功能性应用。相关研究成果以Room-Temperature Organic Spintronic Devices with Wide Range Magnetocurrent Tuning and Multifunctional...


微电子所存算一体芯片论文入选ISSCC 2025大会
2025-02-24

当前,边缘智能计算设备部署神经网络时,往往需要通过训练微调以提升网络精度。但基于远程云端训练的方法存在高延迟、高功耗以及存在隐私泄露风险等缺点,因此,实现支持本地训练的存算一体技术至关重要。传统的存算一体宏仅支持网络推理,无法进行网络训练所需要的转置运算。现有方案无法对训练中的前向与反向传播过程中的乘...


大晶粒钙钛矿薄膜助力智能眼镜系统构建
2025-02-12

人类获取的信息70%以上来源于视觉,眼睛是生物采集的关键感知器官之一。其中,眼动追踪传感器在无干扰、隐蔽监测人类视觉行为方面展现出潜力。目前,多数眼动追踪设备依赖复杂的传感系统,图像处理过程繁琐且设备体积较大;而基于隐形眼镜的侵入式方案具备一定便携性但测量精度有限,并可能引发异物引入的不适感。因此,探讨高...


微电子所在人工智能工艺器件建模方面取得重要进展
2025-02-11

随着集成电路特征尺寸的不断微缩,工艺和器件模拟的计算复杂度显著增加,传统物理建模方法难以满足大规模仿真和快速迭代的需求,亟需引入前沿人工智能技术,开发高效的仿真模型以支撑先进工艺参数优化和新型器件设计。在刻蚀工艺的仿真加速方面,EDA中心姚振杰副研究员和陈睿研究员开展联合攻关,提出一种级联递归神经网络(CRN...


科研人员研制出超导双光子空间符合计数器
2025-02-07

中国科学院上海微系统与信息技术研究所尤立星与李浩团队在面向多光子空间符合探测方面取得进展。1月30日,相关研究成果以《具有组合时间逻辑和幅度复用的超导纳米线双光子空间符合计数器》(A superconducting nanowire two-photon coincidence counter with combinatorial time logic and amplitude multiplexing)为题...


科研人员制备出具有优良导电性能的多层堆叠二维聚苯胺晶体
2025-02-07

导电聚合物是具有导电能力的有机聚合物,包括聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯等,被认为是可能取代传统半导体和金属的有机材料。导电聚合物生成成本低、密度小、成膜性能好、机械柔韧性更高,具备更广泛的化学功能性,有望成为制备下一代有机电子器件的核心材料。电荷在导电聚合物薄膜中的传输效率,对其应用性能具有决定性作用。电荷...


基于钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究取得重要进展
2025-01-27

1月22日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合美国科罗拉多大学教授Gabriel Santamaria Botello、瑞士洛桑联邦理工学院教授Tobias J. Kippenberg团队,在基于绝缘体上钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究方面取得重要进展。相关研究成果以Ultrabroadband integrated electro-optic frequency comb i...


微电子所在多模态事件学习储池计算方面取得重要进展
2025-01-26

人工智能的发展深受模仿人类大脑的启发,尤其是在当前的类脑神经形态系统中。例如,利用生物可解释的脉冲神经网络(SNN),并结合IBM的TrueNorth和英特尔的Loihi等CMOS数字硬件加速器,来模拟大脑的计算功能和效率。然而,在硬件中复现大脑功能仍然面临巨大的挑战,这不仅受到摩尔定律放缓以及冯·诺依曼架构计算瓶颈的限制,而且...


中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
2025-01-22

被誉为电力电子系统“心脏”的功率器件,是实现电能变换和控制的核心,也是国计民生领域最为基础、应用最为广泛的元器件之一,其核心技术研发和创新发展备受关注。来自中国科学院微电子研究所的最新消息说,该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作,共同研制出首款国产高压抗辐射碳化...


微电子所在超宽带低噪声集成电路设计领域取得新进展
2025-01-15

近期,微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。微弱信号处理链路对噪声极为敏感,低噪声放大器作为信号链路的关键元器件,决定了微弱信号的检测灵敏度。传统的低噪声芯片受晶体管的增益滚降、噪声和带宽相互制约的影响,导致各类系统的灵敏度和带宽无法满足信号多样...


微电子所在高性能注入锁定时钟倍频器方面取得进展
2025-01-15

人工智能、机器学习、云计算等应用的发展推动了智算/数据中心交换网络数据传输速率的迅速增长,对高速有线收发机系统中的时钟倍频器的工作速度、抖动、面积和功耗等性能提出了更高的要求。基于环形振荡器的注入锁定时钟倍频器具有低抖动多相时钟产生、紧凑布局、高能效和高鲁棒性等优势,成为有线收发机系统中多相时钟产生...


基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
2024-12-25

近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前,碳化硅(SiC)晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底(即“高质量”衬底)的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC...