| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 | 孟令款; | 201210228815.6 | 2012-07-02 |
| 半导体器件制造方法 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽; | 201210228598.0 | 2012-07-02 |
| 半导体器件制造方法 | 钟汇才;梁擎擎;赵超; | 201210229040.4 | 2012-07-02 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | 201210417331.6 | 2012-10-26 |
| 准纳米线晶体管及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯; | 201210407807.8 | 2012-10-23 |
| 鳍型场效应晶体管的制造方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲;梁擎擎; | 201210407809.7 | 2012-10-23 |
| 半导体结构及其制造方法 | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑; | 201210397791.7 | 2012-10-18 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | 201210385128.5 | 2012-10-11 |
| 一种半导体结构的制造方法 | 尹海洲;朱慧珑; | 201210362926.6 | 2012-09-25 |
| 一种半导体结构的制造方法 | 尹海洲;朱慧珑; | 201210362169.2 | 2012-09-25 |
| 半导体结构及其制造方法 | 钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超; | 201210310953.9 | 2012-08-28 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 钟汇才;梁擎擎; | 201210303691.3 | 2012-08-23 |
| 一种制造场效应晶体管的方法 | 钟汇才;梁擎擎; | 201210331130.4 | 2012-09-10 |
| 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 | 钟汇才;赵超;梁擎擎; | 201210331626.1 | 2012-09-10 |
| MOSFET的制造方法 | 尹海洲;秦长亮;朱慧珑; | 201210407433.X | 2012-10-23 |
科研产出