专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
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栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 | 杨红;马雪丽;王文武;韩锴;王晓磊;殷华湘;闫江; | 201210246582.2 | 2012-07-16 |
栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 | 杨红;马雪丽;王文武;韩锴;王晓磊;殷华湘;闫江; | 201210246572.9 | 2012-07-16 |
一种半导体结构及其制作方法 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽; | 201210348374.3 | 2012-09-18 |
高电子迁移率晶体管的制造方法 | 包琦龙;邓坚;罗军;赵超; | 201210343034.1 | 2012-09-14 |
降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法 | 孟令款;贺晓彬;李春龙; | 201210353546.6 | 2012-09-20 |
半导体器件制造方法 | 李春龙;李俊峰;闫江;孟令款;贺晓彬;陈广璐;赵超; | 201210336478.2 | 2012-09-12 |
多次可编程半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑; | 201210326597.X | 2012-09-05 |
浅沟槽隔离及其制造方法 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超; | 201210307008.3 | 2012-08-24 |
半导体器件制造方法 | 唐兆云;闫江;朱慧珑; | 201210283261.X | 2012-08-09 |
半导体器件及其制造方法 | 殷华湘,秦长亮,马小龙,徐秋霞,陈大鹏; | 201210260760.7 | 2012-07-25 |
带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法 | 董立军;赵超; | 201210258806.1 | 2012-07-24 |
半导体器件及其制造方法 | 秦长亮;殷华湘; | 201210246830.3 | 2012-07-16 |
半导体器件制造方法 | 秦长亮;洪培真;殷华湘; | 201210246706.7 | 2012-07-16 |
半导体器件制造方法 | 孟令款; | 201210229524.9 | 2012-07-03 |
半导体器件制造方法 | 孟令款; | 201210229456.6 | 2012-07-03 |
科研产出