| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法 | 刘明,王晨杰,霍宗亮,张满红,谢常青,王琴,刘璟; | 201110137484.0 | 2011-05-25 |
| 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 | 刘明,王晨杰,霍宗亮,张满红,谢常青,王琴,刘璟; | 201110138464.5 | 2011-05-25 |
| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 | 刘梦新,毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生; | 201110007880.1 | 2011-01-14 |
| 一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用 | 刘琦,刘明,龙世兵,吕杭炳,谢常青; | 201110005463.3 | 2011-01-12 |
| 埋置有源元件的树脂基板及其制备方法 | 张霞,万里兮,陈峰,郭学平; | 201110135530.3 | 2011-05-24 |
| 导航系统及其方法 | 杨颖,陈杰; | 201110106671.2 | 2011-04-27 |
| 一种用于单芯片封装和系统级封装的散热结构 | 李君,郭学平,张静; | 201110055382.4 | 2011-03-08 |
| 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 | 魏珂,刘新宇,黄俊,刘果果; | 201110340553.8 | 2011-11-01 |
| 降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法 | 黄俊,魏珂,刘果果,樊捷,刘新宇; | 201110340567.X | 2011-11-01 |
| 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 | 魏珂,刘果果,刘新宇,黄俊; | 201110340571.6 | 2011-11-01 |
| HEMT器件及其制造方法 | 刘果果,魏珂,黄俊,刘新宇; | 201110364028.X | 2011-11-16 |
| SiC衬底的减薄方法 | 魏珂,黄俊,刘果果,李诚瞻,刘新宇; | 201110146097.3 | 2011-06-01 |
| 一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法 | 曹立强,戴风伟,王启东,万里兮; | 201110061489.X | 2011-03-15 |
| 一种电化学淀积结果确定方法 | 王强,陈岚,李志刚; | 201110391416.7 | 2011-11-30 |
| 一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法 | 郭建楠,麻芃,金智,王显泰; | 201110130036.8 | 2011-05-19 |
科研产出