| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种硅片缓冲装载装置 | 吴文镜;李国光;赵江艳; | 201210479223.1 | 2012-11-22 |
| 一种利用ALD制备栅介质结构的方法 | 董亚斌;夏洋;李超波;张阳; | 201210477230.8 | 2012-11-21 |
| 一种电极引入结构 | 席峰;王佳;李楠;汪明刚;夏洋; | 201210477228.0 | 2012-11-21 |
| 一种EUV光源污染物收集装置 | 宗明成;孙裕文;李世光;黄有为; | 201210479101.2 | 2012-11-22 |
| 一种辐射加固设计的寄存器电路 | 吴利华;于芳; | 201310008116.5 | 2013-01-09 |
| 一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 | 汪宁; | 201310068641.6 | 2013-03-05 |
| 一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法 | 汪宁; | 201310068591.1 | 2013-03-05 |
| 一种辐射效应测试方法、装置及系统 | 谢朝辉;刘海南;周玉梅;黑勇;赵明琦;王德坤; | 201210593075.6 | 2012-12-31 |
| 一种单粒子辐射效应检测方法 | 谢朝辉;刘海南;周玉梅;黑勇;王德坤;赵明琦; | 201210593077.5 | 2012-12-31 |
| 一种旋转装置和基于该旋转装置的单粒子测试系统 | 王德坤;谢朝辉;赵明琦;刘海南;周玉梅;黑勇; | 201210589804.0 | 2012-12-28 |
| 一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路 | 温景超;周虹珊;王立新; | 201310219259.0 | 2013-06-04 |
| 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生; | 201310438775.2 | 2013-09-26 |
| 抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生; | 201310439034.6 | 2013-09-26 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才; | PCT/CN2012/077852 | 2012-06-29 |
| 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 | 秦长亮;殷华湘; | 201210089963.4 | 2012-03-30 |
科研产出