| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 | 赵超;罗军;陈大鹏;叶甜春; | 201110116103.0 | 2011-05-05 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊杰; | 201110104362.1 | 2011-04-25 |
| 防止积留水液的热氧化系统和方法 | 李春龙; | 201110109430.3 | 2011-04-25 |
| 用于保持热预算稳定的加热方法 | 李春龙; | 201110104354.7 | 2011-04-25 |
| 快速热处理设备的监测方法 | 李春龙，李俊峰; | 201110095825.2 | 2011-04-17 |
| 离子注入设备的监测方法 | 李春龙，李俊峰; | 201110095828.6 | 2011-04-17 |
| 半导体制造方法 | 李春龙;李俊峰; | 201110095459.0 | 2011-04-17 |
| 半导体制造方法 | 李春龙，李俊峰; | 201110077477.6 | 2011-03-29 |
| 热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰; | 201110074604.7 | 2011-03-25 |
| 改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法 | 赵超;钟汇才;李俊峰; | 201110074395.6 | 2011-03-25 |
| 具有多路输出功能的红外焦平面读出电路及其读出方法 | 彭城;王玮冰; | 201110068065.6 | 2011-03-22 |
| 与传感器耦合的斩波放大器电路 | 黄卓磊;王玮冰; | 201110068175.2 | 2011-03-22 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘;陈大鹏; | 201110068069.4 | 2011-03-22 |
| 半导体器件 | 闫江; | 201110031550.6 | 2011-01-29 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊;尹海洲; | 201110029212.9 | 2011-01-26 |
科研产出