| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | 201110274354.1 | 2011-09-16 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | 201110265211.4 | 2011-09-08 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | 201110254187.4 | 2011-08-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | 201110254440.6 | 2011-08-31 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才;罗军;梁擎擎;朱慧珑; | 201110240932.X | 2011-08-22 |
| 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超; | 201110240931.5 | 2011-08-22 |
| 半导体器件 | 梁擎擎;许淼;朱慧珑;钟汇才; | 201110241218.2 | 2011-08-22 |
| 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 | 徐秋霞;李永亮;许高博; | 201110221375.7 | 2011-08-03 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | 201110189100.X | 2011-07-07 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯; | 201110178387.6 | 2011-06-29 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | 201110173892.1 | 2011-06-24 |
| 半导体场效应晶体管的制备方法 | 周华杰;徐秋霞; | 201110172967.4 | 2011-06-24 |
| 一种半导体场效应晶体管的制备方法 | 周华杰;徐秋霞; | 201110174333.2 | 2011-06-24 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎; | 201110170875.2 | 2011-06-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎; | 201110170497.8 | 2011-06-23 |
科研产出