专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
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半导体晶片的制造方法 | 钟汇才;梁擎擎;赵超; | 201010591794.5 | 2010-12-08 |
MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎; | 201010573204.6 | 2010-12-03 |
MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎; | 201010573334.X | 2010-12-03 |
一种半导体器件及其制造方法 | 王文武;赵超;韩锴;陈大鹏; | 201010589244.X | 2010-12-08 |
提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 杨涛;赵超;陈大鹏; | 201010607041.9 | 2010-12-27 |
半导体器件及其制造方法 | 罗军;赵超; | 201010577852.9 | 2010-12-08 |
MOS晶体管及其制作方法 | 于伟泽;尹海洲; | 201010606316.7 | 2010-12-24 |
开口的填充方法 | 赵超;王文武;钟汇才; | 201010590432.4 | 2010-12-10 |
沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才;尹海洲;梁擎擎;朱慧珑; | 201010552589.8 | 2010-11-19 |
一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法 | Daniel Guidotti;于大全;王启东; | 201110042195.2 | 2011-02-22 |
半导体器件及其制造方法 | 罗军;赵超; | 201010571659.4 | 2010-11-29 |
阻变存储器单元 | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;谢常青; | 201110101033.1 | 2011-04-21 |
阻变存储器及其制造方法 | 龙世兵;连文泰;张康玮;王明;张满红;霍宗亮;谢常青;刘璟;余兆安;李冬梅;刘明;刘琦;吕杭炳;牛洁斌;王艳花;李颖弢;张森;王艳; | 201110075379.9 | 2011-03-28 |
多功能存储单元、阵列及其制造方法 | 刘明;许中广;霍宗亮;谢常青;龙世兵;张满红;刘璟;王琴;李冬梅; | 201110122303.7 | 2011-05-12 |
使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | PCT/CN2010/001481 | 2010-09-25 |
科研产出