当前位置 >>  首页 >> 科研工作 >> 科研产出 >> 专利

专利

专利名称 发明人 申请号 申请日期
半导体晶片的制造方法 钟汇才;梁擎擎;赵超; 201010591794.5 2010-12-08
MOSFET及其制造方法 朱慧珑;许淼;梁擎擎; 201010573204.6 2010-12-03
MOSFET及其制造方法 朱慧珑;许淼;梁擎擎; 201010573334.X 2010-12-03
一种半导体器件及其制造方法 王文武;赵超;韩锴;陈大鹏; 201010589244.X 2010-12-08
提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法 杨涛;赵超;陈大鹏; 201010607041.9 2010-12-27
半导体器件及其制造方法 罗军;赵超; 201010577852.9 2010-12-08
MOS晶体管及其制作方法 于伟泽;尹海洲; 201010606316.7 2010-12-24
开口的填充方法 赵超;王文武;钟汇才; 201010590432.4 2010-12-10
沟槽隔离结构及其形成方法 钟汇才;尹海洲;梁擎擎;朱慧珑; 201010552589.8 2010-11-19
一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法 Daniel Guidotti;于大全;王启东; 201110042195.2 2011-02-22
半导体器件及其制造方法 罗军;赵超; 201010571659.4 2010-11-29
阻变存储器单元 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;谢常青; 201110101033.1 2011-04-21
阻变存储器及其制造方法 龙世兵;连文泰;张康玮;王明;张满红;霍宗亮;谢常青;刘璟;余兆安;李冬梅;刘明;刘琦;吕杭炳;牛洁斌;王艳花;李颖弢;张森;王艳; 201110075379.9 2011-03-28
多功能存储单元、阵列及其制造方法 刘明;许中广;霍宗亮;谢常青;龙世兵;张满红;刘璟;王琴;李冬梅; 201110122303.7 2011-05-12
使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; PCT/CN2010/001481 2010-09-25