| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2010/001482 | 2010-09-25 |
| 半导体结构及其制作方法 | 王鹤飞;骆志炯;刘佳; | 201010527273.3 | 2010-10-29 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎; | 201010299028.1 | 2010-09-29 |
| 化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法 | 杨涛;刘金彪;贺晓彬;赵超;陈大鹏; | 201010567260.9 | 2010-11-30 |
| 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑; | 201010527238.1 | 2010-10-29 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯; | 201010532062.9 | 2010-10-19 |
| 后栅工艺中金属栅的制作方法 | 项金娟;王文武; | 201010500383.0 | 2010-09-29 |
| 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 | 钟汇才;梁擎擎; | 201010215116.9 | 2010-06-22 |
| 集成无线能量发射和接收装置的传感器系统 | ; | 201010250707.X | 2010-08-11 |
| 半导体器件结构的制造方法及其结构 | 钟汇才;梁擎擎; | 201010258369.4 | 2010-08-19 |
| 一种FinFET器件及其制造方法 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯; | 201010150059.0 | 2010-04-15 |
| 一种改善硅衬底的方法及得到的硅衬底 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑; | 201010502043.1 | 2010-09-30 |
| 接触电极制造方法和半导体器件 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | 201010531985.2 | 2010-10-29 |
| 半导体器件及其形成方法 | 赵超;钟汇才;王文武; | 201010512128.8 | 2010-10-13 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;钟汇才;尹海洲;骆志炯; | 201010501727.X | 2010-09-30 |
科研产出