典型设备1：细铝丝楔焊系统

功能用途：器件的封装键合

设备型号：Hesse Bondjet BJ820

主要性能参数：

工作区域：

X轴：305 mm 31；Y轴:410 mm； Z轴：30 mm；P轴:+/-210°；

线径：铝线，金线：17.5 µm~50 µm (0.7 mil~2.0 mil)；

弧长：70µm~20 mm；

精细间距能力：<40µm；

放置重复精度：轴重复精度：1µm。

典型设备2：晶圆清洗分割系统

功能用途：用于8英寸及以下尺寸晶圆划片

设备型号：DFD6341&DCS1440

主要性能参数：8寸以下晶圆

典型设备3：高低温冲击试验箱

功能用途：用于温度可靠性试验

设备型号：Espec TSD-100

主要性能参数：温度范围：-65℃~175℃；高低温转换：t≤1min；内容积：100L

典型设备4：多功能高精度半导体器件可靠性测试与分析系统

功能用途：晶体管器件的晶圆级可靠性自动测试和半自动测试

设备型号：STAr Sagittarius

主要性能参数：宽温区-60℃~300℃，温度误差0.1℃；最小电流0.1fA；电容测试频率1kHz~5MHz。

典型设备5：聚焦离子束设备

功能用途：用于半导体器件的微观表征

设备型号：Crossbeam 550

主要性能参数：

电子束系统：

分辨率：≤0.7 nm@30kV，≤0.9 nm@15kV，≤1.4 nm@1kV；

在电子束和离子束交叉点时：≤0.9nm @ 15kV；≤1.8nm @ 1kV；

样品加工后，能快速切换到电子束检查与成像；

物镜下方无漏磁，可用于MRAM和磁性材料分析。

离子束系统：

Ga离子束：最小束斑尺寸≤3.0nm；

加速电压范围300V~30 kV；

离子源稳定连续工作时间不小于72小时；

离子束分辨率：≤60nm @ 2kV， ≤120nm @ 1kV；

具备实时观察离子束加工的监控功能(芯片电路修改end point detector)。

典型设备6：声扫描显微镜PVA TePla SAM 400

功能用途：芯片内部封装结构缺陷分析

设备型号：PVA TePla SAM

主要性能参数：

最大扫描范围：x=250µm~430mm；

最大扫描速率：1500mm/s，加速度10m/s。

典型设备7：全自动抗静电测试系统

功能用途：集成电路与器件抗静电和抗闩锁能力分析

设备型号：HANWA HED-N5256-D6

主要性能参数：

PIN脚数：256PIN；

最大HBM电压：±8000V；

最大MM电压：±4000V；

闩锁测试电压：35V，1A。