赵发展

  

　　赵发展，博士，研究员，博士生导师，研发加固SRAM单元，单粒子翻转率< 1e-13/bit-day；成立了高可靠元器件测试实验室；搭建“高可靠元器件快速封装平台” 贯通“TO”、“SMD”系列高可靠VDMOS封装和“DIP”、“FP”系列集成电路封装。 

　　招生/招聘信息： 

　　课题组每年招收博士/硕士研究生，常年招聘高集成电路抗辐照加固及评估技术、器件可靠性技术、芯片安全检测技术及其相关方向的博士后、助理研究员、副研究员、研究员，同时也非常欢迎感兴趣的本科生参与科研。详情请咨询zhaofazhan@ime.ac.cn。 

　　研究方向：集成电路抗辐射加固及评估技术、器件可靠性技术、芯片安全检测技术。