重点实验室广泛深入开展国内外学术交流。近5年主办学术会议5次，承办国内学术会议6次，参加国际学术会议470余人次，邀请国内、外知名专家学者来实验室做学术报告18次；超过100人次赴美国、法国、加拿大等国家参加学术交流。实验室成员在本领域重要国内外会议做报告超过70人次。 

　　国际交流

　　2016年9月18日至23日，韩郑生研究员、陆江副研究员前往德国不莱梅参加了2016 Radiation Effects on Components & Systems Conference（RADECS2016）会议。陆江副研究员在会议上发表了有关新型结构功率MOSFET器件单粒子可靠性加固研究的论文“Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate”。

　　韩郑生研究员与IEEE fellow Ron Schrimpf教授和Kenneth F. Galloway教授合影

　　2017年10月2日至8日，韩郑生研究员、罗家俊研究员、王立新研究员、李彬鸿研究员、宋李梅副研究员、黄杨和杨玲助理研究员，应邀赴瑞士日内瓦参加电子器件与系统抗辐射领域的国际顶级学术会议RADECS2017（Radiation Effects on Components and Systems）。此次会上，重点实验室科研人员汇报了FinFET器件、SOI器件和VDMOS器件辐射效应的最新学术研究成果。这是中国科学院科研团队首次受邀在该国际会议上进行大会报告。

　　口头报告及出访团队合影

　　2018年9月17日至22日，韩郑生研究员、罗家俊研究员、刘梦新副研究员、王磊副研究员，应邀赴瑞典哥德堡参加电子器件与系统抗辐射领域的国际顶级学术会议RADECS2018（Radiation Effects on Components and Systems）。

海报报告及出访团队合影

　　2018年9月30日至10月6日，李博研究员、崔岩副研究员和黄杨助理研究员赴丹麦奥尔堡参加29th European Symposium on Reliability of Electron Devices，Failure Physics and Analysis （ESREF，欧洲可靠性会议）。

口头报告及出访团队合影

　　2018年10月，实验室成员卜建辉研究员赴美国加州旧金山参加了2018 SOI 3D 亚阈值微电子技术联合会议（2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference）。卜建辉研究员作了“Total dose effects on 28nm FD-SOI CMOS transistors”以及“A low leakage current Tunneling-FET based on SOI”两个学术报告。

卜建辉研究员在S3S会议上做张贴报告

　　2019年7月2日至8日，李博研究员随微电子所欧洲访问团访问了意大利帕多瓦大学和法国MINATEC园区，并参加了在芬兰举办的2019年度微纳领域控制，自动化和机器人国际会议。在意大利访问期间，与帕多瓦大学校长Rosario Rizzuto，帕多瓦大学副校长Alessandro Paccagnella就双方的合作进行小范围讨论，与帕多瓦大学信息工程学院院长Gaudenzio Meneghesso，信息工程学院教授Simone Gerardin，Enrico Zanoni，Andrea Galtarossa，Carlo De Santi等人举行了学术合作交流研讨会，并参加了硅栅发明人Federico Faggin教授的讲座。

访问团与帕多瓦大学校领导合影

　　2019年9月16日至20日，由韩郑生研究员带队，罗家俊研究员、曾传滨研究员，李博研究员和卜建辉研究员赴法国蒙彼利埃参加欧洲器件与系统辐射效应大会（RADECS）。重点实验室是本次国际会议发表学术论文最多的科研团队之一。

出访团队合影

　　2019年9月20日至22日，李博研究员、高见头高级工程师、黄杨助理研究员应邀赴法国格勒诺布尔的微电子电磁与光电研究所（IMEP-LAHC）开展交流访问。

在法国格勒诺布尔IROC公司进行交流访问

　　2019年12月1日至7日，李博研究员应邀赴德国海德堡参加“工业工程及应用中的不确定性量化问题中德科学家研讨会”，并作为微电子行业的代表，做“The soft errors in the microelectronic devices for high reliable applications”的大会报告。

李博研究员在德国海德堡大学做学术报告

　　2020年9月1日至30日，刘凡宇副研究员，研究生张旭、王国庆、张峰源应邀在线参加SOI领域的国际学术会议EUROSOI-ULIS’2020（2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon）。

口头报告与海报报告

　　2020年10月4日至8日，高见头高级工程师、刘凡宇副研究员、研究生张军军和王治安应邀于线上参加电子器件与系统可靠性领域的国际学术会议ESREF 2020（European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis）。

线上会议现场

　　2021年7月16日至23日，黄杨助理研究员、研究生张旭、苏泽鑫、权家乐、李梦达、唐蕴应邀在线参加电子器件与系统可靠性领域的国际学术会议NSREC 2021（2021 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference）。本次会议共收录中国论文9篇，其中6篇论文来自中科院微电子研究所。

口头报告和海报展示

　　2021年10月4日至7日，高见头高级工程师、研究生张军军应邀在线参加第32届欧洲电子设备可靠性、失效物理与分析研讨会ESREF 2021 (European Symposium on Reliability of Electron Devices，Failure Physics and Analysis)。

线上会议现场

　　2021年12月1日，王可高级工程师应邀线上参加在新加坡举办的第23届电子封装技术国际学术会议EPTC2021（23rd Electronics Packaging Technology Conference）。会议期间，王可高级工程师基于高温封装的研究成果开展了题为“Degradation of SOI SRAMs at 250℃ Operating Conditions”的口头报告。

口头报告

　　国内交流

　　2016年5月9日，美国马里兰大学Michael Pecht教授来重点实验室做学术交流，并作了题为《电子产品考核的进阶方法》的报告。重点实验室科研人员、研究生共50余人参加了交流活动。

Michael Pecht教授报告现场

　　2018年7月24日至28日，重点实验室参加了在新疆伊宁市召开的第三届全国辐射物理学术交流会。

重点实验室参加第三届全国辐射物理学术交流会

　　2019年11月22日，美国亚美智库负责人耿怀渝教授受重点实验室韩郑生研究员邀请来我所做题目为“Manufacturing USA and Emerging Technologies”的学术报告。

耿怀渝教授做学术报告并与参会人员进行交流

　　2020年11月12日至13日，罗家俊研究员、曾传滨研究员赴沈阳参加核工业机器人与智能装备协同创新联盟2020年年会，会议期间，罗家俊研究员做大会报告，介绍了抗辐射加固技术及产品最新成果，相关成果受广泛认可及关注。会后与参会专家交流了国内核工业机器人最新进展及面向应急装备需求。在本次会议中，微电子所正式被接受成为联盟会员单位。

罗家俊研究员做核工业机器人与智能装备协同创新联盟2020年年会大会报告以及参会人员合影

　　2021年5月26日至29日，韩郑生研究员、李博研究员、罗家俊研究员等重点实验室人员参加第四届电子元器件辐射效应国际会议ICREED 2021 （4th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices）。会议期间，李博研究员受邀进行了题为“A review on Double-gate SOI (DSOI): A promising candidate for high radiation tolerance micro-electronics”的学术报告。

重点实验室人员参与第四届电子元器件辐射效应国际会议

　　2021年7月15日至17日，由重点实验室、北京大学与中科院空间中心共同举办的碳基芯片辐射效应及可靠性研讨会在国家法官学院北京分院举行。重点实验室首席科学家韩郑生研究员做“碳基芯片在高可靠应用中的科学问题与关键技术”报告。

      碳基芯片辐射效应及可靠性研讨会合影

　　2021年7月28日至29日，韩郑生研究员、赵发展研究员、李博研究员、卜建辉研究员、罗家俊研究员等人参加第四届全国辐射物理学术交流会CRPS 2021 （4th National Conference on Radiation Physics）。会议期间，卜建辉研究员做了名为“FDSOI器件单粒子浮体效应研究”的报告。

重点实验室人员参加第四届全国辐射物理学术交流会