重点实验室可以为客户提供高可靠SOI CMOS工艺流片服务，电路与IP设计服务，以及测试、封装、可靠性试验与分析等技术服务。

　　流片服务

　　提供0.35μm/0.18μm/0.13μm高可靠SOI CMOS工艺多项目晶圆（MPW）和工程批流片服务。

　　高可靠SOI CMOS工艺主要特点

　　设计服务

　　提供面向0.35μm/0.18μm/0.13μm高可靠SOI CMOS工艺设计套件（PDK）、器件模型、标准单元库、Memory Compiler以及各类IP等。

　　SOI CMOS器件模型：

　　0.35μm SOI CMOS器件类型

　　0.18μm SOI CMOS器件类型

　　0.13μm SOI CMOS器件类型

　　SOI CMOS标准单元库：

　　0.35μm SOI CMOS标准单元库

　　0.18μm SOI CMOS标准单元库

　　0.13μm SOI CMOS工艺标准单元库

　　SRAM存储器编译器：

　　0.13μm SOI CMOS工艺SRAM存储器编译器

　　IP服务：

　　根据用户需求，定制系列知识产权（IP）模块，满足客户高可靠芯片设计需求。

　　（1）       ESD IP设计：成熟的ESD IP解决方案，HBM＞2000V

　　（2）       IP类别：嵌入式SRAM、ADC、PLL、LDO、DLL等

　　数字单元库和IP

　　电路设计服务：

　　在电路系统功能确认、设计规范制定、RTL代码设计和版图设计等方面提供设计服务，并可为客户提供高效、快速和专业的高可靠电路设计服务。

　　封装、测试与可靠性试验服务

　　能够为客户提供封装、测试以及可靠性试验和分析等服务。“高可靠元器件测试中心”具有高可靠集成电路和功率器件的测试和检验能力。

　　服务内容包括：

　　（1）        功率器件与集成电路的常温及高低温测试；

　　（2）        晶圆清洗、划片、拾片、粘片、金丝/铝丝键合、黑胶/封帽、打标、管脚焊接等；

　　（3）        封装检验：目检、拍照、开帽、键合/剪切强度、捡漏、密封性粗细检、高温烘焙、PIND等；

　　（4）        可靠性试验与分析：高低温循环、筛选老化、X射线拍照、声扫、ESD、TLP等；

　　（5）        辐照试验与分析：Co-60总剂量辐照试验、X射线总剂量辐照试验、重离子单粒子辐照试验、激光模拟单粒子辐照试验、中子辐照试验等；

　　（6）        测试程序开发：功能测试、直流参数、交流参数、混合信号及模拟参数等。