面向空间、高温等极端环境下对高性能信号处理和通讯的需求，通过掌握纳米硅基工艺、特种SOI工艺的抗辐照及可靠性机理，开展高性能抗辐照单元库和IP库设计加固技术研究，形成高可靠加固IP模块，建立高性能高可靠纳米级抗辐照设计支撑平台，掌握具有耐高温和辐射加固能力的关键性能优化技术，完善抗辐照IP生态，并开展高性能抗辐照SRAM、非易失存储器、总线控制和信号调理芯片研制，实现高可靠超大规模数模混合SoC集成。
1、通过设计加固和工艺加固，改善超深亚微米抗辐照SRAM的抗单粒子翻转（SEU）能力，提出并实现了一种抗辐照SRAM存储单元，使SRAM存储器在GEO轨道的单粒子翻转错误率（SER）优于10-12upset/bit/day，达到国际领先水平。
4M、8M和16M SRAM存储器电路
2、基于ZTC与漏电平衡加固方法，研究MOS器件ZTC领域温度系数原理与温度曲率矫正技术，提出节点漏电流平衡设计规则，构建高温漏电平衡管控极值，实现高温225 工作条件下的12bit 105Msps ADC芯片研制。
12bit 105Msps ADC电路
课题组负责人：
课题组负责人邮箱：liuhainan@ime.ac.cn
抗辐照器件技术重点实验室