专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
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一种可配置的接收信号强度指示电路 | 武振宇; | 201110396486.1 | 2011-11-05 |
一种二维电子气结构的霍尔元件及其制备方法 | 李博,刘洪刚,刘新宇; | 201110375099.X | 2011-11-23 |
刻蚀系统机柜 | 席峰,胡冬冬,屈芙蓉,刘训春,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201130402162.5 | 2011-11-04 |
刻蚀系统工艺腔室 | 席峰,胡冬冬,屈芙蓉,刘训春,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201130402092.3 | 2011-11-04 |
一种激光检测装置 | 席峰,王佳,刘训春,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201110345365.4 | 2011-11-04 |
一种进气结构 | 席峰,胡冬冬,刘训春,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201110345338.7 | 2011-11-04 |
读取时序产生电路 | 陈巍巍,陈岚,杨诗洋; | 201110382127.0 | 2011-11-25 |
多相位时钟信号发生电路 | 陈巍巍,陈岚,龙爽; | 201110390741.1 | 2011-11-30 |
快速平稳的模拟开关电路 | 龙爽,陈巍巍,陈岚,杨诗洋,龚晨; | 201110391920.7 | 2011-11-30 |
源漏自对准的MOS器件及其制作方法 | 刘洪刚,常虎东,卢力,孙兵; | 201110386816.9 | 2011-11-29 |
高电压开关电路 | 龙爽,陈岚,陈巍巍,杨诗洋,刘金辰; | 201110390716.3 | 2011-11-30 |
自举预充电的快速限幅字线偏置电路 | 杨诗洋,陈岚,陈巍巍,龙爽,雷镇海; | 201110389655.9 | 2011-11-30 |
过压检测电路 | 龙爽,陈岚,陈巍巍,杨诗洋,雷镇海; | 201110391552.6 | 2011-11-30 |
一种控制锗纳米微结构尺寸的方法 | 王盛凯,刘洪刚,孙兵,薛百清,常虎东,卢力,王虹,赵威; | 201110399431.6 | 2011-12-05 |
一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法 | 王盛凯,刘洪刚,孙兵,薛百清,常虎东,卢力,王虹,赵威; | 201110399350.6 | 2011-12-05 |
科研产出