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专利

专利名称 发明人 申请号 申请日期
基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法 吴玉平,陈岚,叶甜春; 201110352024.X 2011-11-09
一种哑金属填充方法 吴玉平,陈岚,叶甜春; 201110427611.0 2011-12-19
一种基于MOS电容的等离子体损伤测试结构 王守国; 201120252422.X 2011-07-18
一种应用于电力线通信的子载波分配方法与装置 胡国荣,郝学飞; 201110397984.8 2011-12-02
可二维微调的微型电动平移台 吴文镜,李国光,艾迪格.基尼欧,马铁中,夏洋; 201110195387.7 2011-07-12
一种消除阈值电压影响的电荷泵 刘明,刘阿鑫,谢常青,霍宗亮,张满红,张君宇,陈映平,潘立阳; 201110264978.5 2011-09-08
一种对多位半导体存储器进行编程的方法 刘明,姜丹丹,霍宗亮,张满红,刘璟,谢常青; 201110256582.6 2011-09-01
一种对存储器芯片进行擦除的方法 刘明,陈映平,冀永辉,谢常青; 201110274850.7 2011-09-16
电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法 刘明,郑志威,霍宗亮,谢常青,张满红,刘璟; 201110261292.0 2011-09-06
一种阶梯型位相光栅的制作方法 谢常青,方磊,朱效立,李冬梅,刘明; 201110279270.7 2011-09-20
一种系统级封装的全屏蔽基板结构 曹立强,郭学平,李君,陶文君; 201110351244.0 2011-11-08
一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器 刘明,张君宇,张满红,霍宗亮,谢常青,潘立阳,陈映平,刘阿鑫; 201110204364.8 2011-07-21
一种CMOS带隙基准电压源 刘明,张君宇,张满红,霍宗亮,谢常青,潘立阳,陈映平,刘阿鑫; 201110204365.2 2011-07-21
一种测量FET沟道温度的装置及方法 王建辉,刘新宇,王鑫华,庞磊,陈晓娟,袁婷婷,罗卫军; 201110259249.0 2011-09-02
一种多栅指GaN HEMTs 王建辉,刘新宇,王鑫华,庞磊,袁婷婷; 201110229091.2 2011-08-11