专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
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基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法 | 吴玉平,陈岚,叶甜春; | 201110352024.X | 2011-11-09 |
一种哑金属填充方法 | 吴玉平,陈岚,叶甜春; | 201110427611.0 | 2011-12-19 |
一种基于MOS电容的等离子体损伤测试结构 | 王守国; | 201120252422.X | 2011-07-18 |
一种应用于电力线通信的子载波分配方法与装置 | 胡国荣,郝学飞; | 201110397984.8 | 2011-12-02 |
可二维微调的微型电动平移台 | 吴文镜,李国光,艾迪格.基尼欧,马铁中,夏洋; | 201110195387.7 | 2011-07-12 |
一种消除阈值电压影响的电荷泵 | 刘明,刘阿鑫,谢常青,霍宗亮,张满红,张君宇,陈映平,潘立阳; | 201110264978.5 | 2011-09-08 |
一种对多位半导体存储器进行编程的方法 | 刘明,姜丹丹,霍宗亮,张满红,刘璟,谢常青; | 201110256582.6 | 2011-09-01 |
一种对存储器芯片进行擦除的方法 | 刘明,陈映平,冀永辉,谢常青; | 201110274850.7 | 2011-09-16 |
电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法 | 刘明,郑志威,霍宗亮,谢常青,张满红,刘璟; | 201110261292.0 | 2011-09-06 |
一种阶梯型位相光栅的制作方法 | 谢常青,方磊,朱效立,李冬梅,刘明; | 201110279270.7 | 2011-09-20 |
一种系统级封装的全屏蔽基板结构 | 曹立强,郭学平,李君,陶文君; | 201110351244.0 | 2011-11-08 |
一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器 | 刘明,张君宇,张满红,霍宗亮,谢常青,潘立阳,陈映平,刘阿鑫; | 201110204364.8 | 2011-07-21 |
一种CMOS带隙基准电压源 | 刘明,张君宇,张满红,霍宗亮,谢常青,潘立阳,陈映平,刘阿鑫; | 201110204365.2 | 2011-07-21 |
一种测量FET沟道温度的装置及方法 | 王建辉,刘新宇,王鑫华,庞磊,陈晓娟,袁婷婷,罗卫军; | 201110259249.0 | 2011-09-02 |
一种多栅指GaN HEMTs | 王建辉,刘新宇,王鑫华,庞磊,袁婷婷; | 201110229091.2 | 2011-08-11 |
科研产出