| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种功率半导体器件结电容测试装置 | 陆江,朱阳军,苏江; | 201120221050.4 | 2011-06-27 |
| IGBT芯片及其制作方法 | 陈宏,胡少伟,卢烁今,吴振兴,朱阳军; | 201110170508.2 | 2011-06-22 |
| 沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 赵佳,朱阳军,卢烁今,孙宝刚,左小珍; | 201110168499.3 | 2011-06-21 |
| 一种场环限结构 | 田晓丽,朱阳军,吴振兴,张彦飞,卢烁今; | 201120209191.4 | 2011-06-20 |
| 快恢复二极管制造方法 | 吴振兴,孙宝刚,朱阳军,赵佳,卢烁今; | 201110163951.7 | 2011-06-17 |
| 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 卢烁今,朱阳军,孙宝刚,赵佳; | 201110169311.7 | 2011-06-22 |
| 微穿通型IGBT器件及其制作方法 | 朱阳军,田晓丽,孙宝刚,卢烁今; | 201110175567.9 | 2011-06-27 |
| 结终端延伸结构及其制造方法 | 田晓丽,朱阳军,吴振兴,卢烁今; | 201110166489.6 | 2011-06-20 |
| 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 | 朱阳军,田晓丽,卢烁今,吴振兴; | 201110175527.4 | 2011-06-27 |
| 一种提高SOI-PMOS器件背栅阈值电压的方法 | 梅博,毕津顺,韩郑生; | 201110209346.9 | 2011-07-25 |
| 一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法 | 梅博,毕津顺,韩郑生; | 201110209296.4 | 2011-07-25 |
| 一种降低静电保护器件触发电压的方法及装置 | 姜一波,杜寰,曾传滨,王立新; | 201110204619.0 | 2011-07-21 |
| 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构 | 姜一波,杜寰; | 201110183267.5 | 2011-07-01 |
| 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构 | 姜一波,杜寰,曾传滨; | 201110183239.3 | 2011-07-01 |
| 一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置 | 陈鲁; | 201110283462.5 | 2011-09-22 |
科研产出