| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种半导体芯片 | 李宝霞,万里兮; | 201110174980.3 | 2011-06-27 |
| 表面等离子体增强对称结构及其制备方法 | 李海亮,史丽娜,牛洁斌,朱效立,李冬梅,谢常青,刘明; | 201110285568.9 | 2011-09-23 |
| 一种宽带可编程增益放大器 | 刘欣,张海英; | 201110219918.1 | 2011-08-02 |
| 一种2dB步长的宽带可编程增益放大器 | 刘欣,张海英; | 201110220592.4 | 2011-08-02 |
| 一种应用于通信系统发射端的可编程增益放大器 | 刘欣,张海英; | 201110315016.8 | 2011-10-17 |
| 可编程增益放大电路和可编程增益放大器 | 刘欣,张海英; | 201110314996.X | 2011-10-17 |
| 一种测量GaN基器件热可靠性的方法 | 赵妙,刘新宇,罗卫军,郑英奎,陈晓娟,彭铭曾,李艳奎; | 201110236600.4 | 2011-08-17 |
| 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 | 赵妙,彭铭曾,郑英奎,刘新宇,魏珂,欧阳思华; | 201110236597.6 | 2011-08-17 |
| 一种阻变存储器及其制备方法 | 刘明,李颖弢,龙世兵,吕杭炳,刘琦,王明,张康玮; | 201110230884.6 | 2011-08-12 |
| 忆阻器器件及其制备方法 | 刘明,李颖弢,龙世兵,吕杭炳,刘琦; | 201110230881.2 | 2011-08-12 |
| 一种基于柔性衬底的忆阻器器件及其制作方法 | 刘明,李颖弢,龙世兵,刘琦,吕杭炳; | 201110230879.5 | 2011-08-12 |
| 一种纳米线忆阻器及其制作方法 | 刘明,李颖弢,龙世兵,刘琦,吕杭炳; | 201110230870.4 | 2011-08-12 |
| 阻变存储器及降低其形成电压的方法 | 刘明,李颖弢,龙世兵,刘琦,吕杭炳,王明,张康玮; | 201110230867.2 | 2011-08-12 |
| 金属氧化物电阻存储器及其制备方法 | 吕杭炳,刘明,龙世兵,刘琦,牛洁斌; | PCT/CN2011/076657 | 2011-06-30 |
| 一种TiO2光催化消解装置的制备方法 | 刘焕明; | 201110163803.5 | 2011-06-17 |
科研产出