| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 用于集成电路的衬底及其形成方法 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;骆志炯; | PCT/CN2011/000309 | 2011-02-25 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑; | PCT/CN2011/000292 | 2011-02-24 |
| SRAM单元及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎; | PCT/CN2011/082519 | 2011-11-21 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯; | PCT/CN2011/082415 | 2011-11-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/082396 | 2011-11-18 |
| 半导体器件 | 梁擎擎;许淼;朱慧珑;钟汇才; | PCT/CN2011/082425 | 2011-11-18 |
| 半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超; | PCT/CN2011/082420 | 2011-11-18 |
| 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/082418 | 2011-11-18 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲; | PCT/CN2011/078221 | 2011-08-10 |
| 半导体器件及半导体存储装置 | 梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑; | PCT/CN2011/078209 | 2011-08-10 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/077858 | 2011-08-01 |
| 栅极结构及其制造方法 | 钟汇才;骆志炯;梁擎擎; | PCT/CN2011/073308 | 2011-04-26 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;钟汇才;尹海洲;骆志炯; | PCT/CN2011/073919 | 2011-05-11 |
| 一种隔离区、半导体器件及其形成方法 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯; | PCT/CN2011/071093 | 2011-02-18 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑; | PCT/CN2011/071020 | 2011-02-16 |
科研产出