| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎; | PCT/CN2011/071512 | 2011-03-04 |
| 半导体晶片的制造方法 | 钟汇才;梁擎擎;赵超; | PCT/CN2011/071303 | 2011-02-25 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲; | PCT/CN2011/071514 | 2011-03-04 |
| 复用编码器的编译码存储装置及方法 | 王一奇，韩郑生; | PCT/CN2011/079912 | 2011-09-21 |
| 穿硅通孔结构及其形成方法 | 赵超;陈大鹏;欧文; | 201110059582.7 | 2011-03-11 |
| 一种可见-红外双通摄像机 | 孔延梅;焦斌斌;陈大鹏; | 201110129075.6 | 2011-05-18 |
| 微透镜阵列及其制作方法 | 闫建华;欧文;欧毅; | 201110131361.6 | 2011-05-19 |
| 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 | 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯; | 201110188060.7 | 2011-07-06 |
| 晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑; | 201110336801.1 | 2011-10-31 |
| 半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎;殷华湘;朱慧珑;钟汇才; | 201110311343.6 | 2011-10-14 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘;罗军;赵超;刘洪刚;陈大鹏; | 201110339415.8 | 2011-11-01 |
| 一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 | 周华杰;徐秋霞; | 201110190699.9 | 2011-07-08 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏; | 201110225524.7 | 2011-08-08 |
| 一种应变半导体沟道的形成方法 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑; | 201110171241.9 | 2011-06-23 |
| 隔离结构以及半导体结构的形成方法 | 尹海洲;尹海洲;朱慧珑;骆志炯; | 201110195439.0 | 2011-07-13 |
科研产出