| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | 201110295189.8 | 2011-09-28 |
| 浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 | 闫江; | 201110099133.5 | 2011-04-20 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏; | 201110053469.8 | 2011-03-07 |
| 向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏; | 201110007408.8 | 2011-01-14 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯; | 201110263440.2 | 2011-09-07 |
| 半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲;钟汇才; | 201110263458.2 | 2011-09-07 |
| 半导体器件及其制造方法 | 王桂磊; | 201110303593.5 | 2011-10-09 |
| 半导体器件及其制造方法 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏; | 201110300828.5 | 2011-09-29 |
| 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法 | 罗军;赵超; | 201110264987.4 | 2011-09-08 |
| 混合线条的制造方法 | 唐波;闫江; | 201110263770.1 | 2011-09-07 |
| 混合线条的制造方法 | 唐波;闫江; | 201110261526.1 | 2011-09-05 |
| 小尺寸鳍形结构的制造方法 | 杨涛;赵超;李俊峰;卢一泓; | 201110261527.6 | 2011-09-05 |
| 光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 | 殷华湘;王玉光;董立军;陈大鹏; | 201110257633.7 | 2011-09-01 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 | 杨涛;赵超;闫江;李俊峰;卢一泓;陈大鹏; | 201110257658.7 | 2011-09-01 |
| 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备 | 王桂磊;杨涛; | 201110257878.X | 2011-09-01 |
科研产出