| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种耿氏二极管及其制备方法 | 黄杰;杨浩;张海英;田超;董军荣; | 201010580735.8 | 2010-12-09 |
| 半导体存储单元、器件及其制备方法 | 霍宗亮;刘明; | 201010541159.6 | 2010-11-10 |
| 减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 | 朱慧珑;朱慧珑;骆志炯;尹海洲; | 200910244517.4 | 2009-12-30 |
| 一种源漏区、接触孔及其形成方法 | ; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | GB1122081.1 | 2011-02-18 |
| 绝缘栅双极晶体管过流保护电路 | 高君宇; 马健;朱阳军 | 201320865468.8 | 2013-12-25 |
| 一种IGBT缓冲吸收电路 | 高君宇; 黎奇;朱阳军;卢烁今 | 201320761013.1 | 2013-11-26 |
| 半导体器件结构及其制造方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎 | PCT/CN2011/000308 | 2011-02-25 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;朱慧珑 | PCT/CN2011/000684 | 2011-04-19 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2012/000669 | 2012-05-16 |
| 半导体器件结构及其制造方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎 | PCT/CN2011/000308 | 2011-02-25 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;朱慧珑 | PCT/CN2011/000684 | 2011-04-09 |
| 半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2010/001489 | 2010-09-26 |
| 半导体器件及其制作方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2010/001429 | 2010-09-17 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2010/000836 | 2010-06-11 |
| 一种叠层高密度光模块 | 李宝霞; 李宝霞 | 201010577654.2 | 2010-12-07 |
科研产出