| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 自举预充电的快速限幅字线偏置电路 | 杨诗洋; 杨诗洋;陈岚;陈巍巍;龙爽;雷镇海 | 201110389655.9 | 2011-11-30 |
| 一种读取时序控制电路 | 杨诗洋; 杨诗洋;陈巍巍;陈岚;龙爽;刘金辰 | 201110391494.7 | 2011-11-30 |
| 一种负载偏置电路 | 龙爽; 龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋;雷镇海 | 201110391290.3 | 2011-11-30 |
| 一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法 | 王显泰; 王显泰;汪宁;钟英辉;金智 | 201110441236.5 | 2011-12-26 |
| 一种实现冗余金属填充模板的方法及其系统 | 尹明会; 尹明会;陈岚;赵劼 | 201110391549.4 | 2011-11-30 |
| 栅长可调的标准单元版图设计方法及其装置 | 吴玉平; 吴玉平;刘磊;陈天佐;吕志强 | 201210062312.6 | 2012-03-09 |
| 优化版图栅长的方法及其装置 | 吴玉平; 吴玉平;刘磊;陈天佐;吕志强 | 201210062173.7 | 2012-03-09 |
| 一种电流模灵敏放大器 | 杨诗洋; 杨诗洋;陈岚;陈巍巍;龙爽 | 201110388161.9 | 2011-11-29 |
| 检测读取操作对临近单元干扰的方法 | 龙爽; 陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋 | 201110391394.4 | 2011-11-30 |
| 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | 姬濯宇; 陆丛研;姬濯宇;刘明;商立伟;王宏;韩买兴;陈映平;刘欣 | 201210030512.3 | 2012-02-10 |
| SOI MOS器件的建模方法 | 卜建辉; 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 201210248270.5 | 2012-07-17 |
| MOS器件的建模方法 | 卜建辉; 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 201210212516.3 | 2012-06-21 |
| 一种PN结结深测试方法 | 卜建辉; 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 201210212571.2 | 2012-06-21 |
| 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路 | 宿晓慧; 宿晓慧;毕津顺;罗家俊 | 201210080931.8 | 2012-03-23 |
| 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统 | 曾传滨; 曾传滨;高林春;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 201110459433.X | 2011-12-31 |
科研产出