| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件的制造方法 | 唐波; 唐波;闫江 | 201010620578.9 | 2010-12-31 |
| 隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 骆志炯; 骆志炯;王鹤飞 | 201010620557.7 | 2010-12-31 |
| 自对准式多次成像光刻 | 贺晓彬; 贺晓彬;杨涛 | 201010611749.1 | 2010-12-17 |
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军; 罗军;赵超 | 201010576904.4 | 2010-12-01 |
| MOS晶体管及其形成方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超 | 201010618284.2 | 2010-12-31 |
| 半导体器件及其形成方法 | 尹海洲; 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 | 201010612577.X | 2010-12-29 |
| MOS晶体管及其制作方法 | 于伟泽; 于伟泽;尹海洲 | 201010606342.X | 2010-12-24 |
| 化学机械抛光设备及其预热方法 | 杨涛; 杨涛;赵超;李俊峰 | 201010599278.7 | 2010-12-21 |
| 自对准金属硅化物的形成方法 | 罗军; 罗军;赵超;钟汇才 | 201010599252.2 | 2010-12-21 |
| 红外传感器开关器件及其制作方法 | 刘瑞文; 刘瑞文;焦斌斌;李志刚;陈大鹏 | 201010572107.5 | 2010-11-29 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | PCT/CN2010/001497 | 2010-09-27 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;钟汇才 | PCT/CN2010/001446 | 2010-09-20 |
| 栅极堆叠的制造方法和半导体器件 | 王文武; 钟汇才;骆志炯;梁擎擎 | PCT/CN2010/001437 | 2010-09-19 |
| 一种闪存器件及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑 | PCT/CN2010/001434 | 2010-09-19 |
| 半导体器件及其制造方法 | 骆志炯; 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | PCT/CN2010/074620 | 2010-06-28 |
科研产出