| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 制备三维半导体存储器件的方法 | 霍宗亮; 霍宗亮;刘明 | 201010611894.X | 2010-12-29 |
| 三维半导体存储器件及其制备方法 | 霍宗亮; 霍宗亮;刘明 | 201010599602.5 | 2010-12-22 |
| 一种高迁移率衬底结构及其制备方法 | 孙兵; | 201010578522.1 | 2010-12-08 |
| 一种高迁移率CMOS集成单元 | 孙兵; | 201010578514.7 | 2010-12-08 |
| 制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法 | 朱旻; | 201010591318.3 | 2010-12-08 |
| 硅基复合介质模斑转换器及其制备方法 | 杨成樾; | 201010574449.0 | 2010-12-06 |
| 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 | 周静涛; | 201010574100.7 | 2010-12-06 |
| 采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法 | 周静涛; | 201010574339.4 | 2010-12-06 |
| 半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;吴昊;肖卫平 | 201010617418.9 | 2010-12-31 |
| 半导体器件的形成方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;李春龙;罗军 | 201010617419.3 | 2010-12-31 |
| 层间电介质层的平面化方法 | 殷华湘; 殷华湘;徐秋霞;孟令款;杨涛;陈大鹏 | 201010601744.0 | 2010-12-22 |
| 半导体器件的制造方法 | 殷华湘; 殷华湘;徐秋霞;许高博;孟令款;杨涛;陈大鹏 | 201010601699.9 | 2010-12-22 |
| 环栅场效应晶体管的制备方法 | 周华杰; 周华杰;宋毅;徐秋霞 | 201010578678.X | 2010-12-08 |
| 悬空鳍片的制备方法 | 周华杰; 周华杰;宋毅;徐秋霞 | 201010578567.9 | 2010-12-08 |
| 一种半导体器件的制造方法 | 许高博; 许高博;徐秋霞 | 201010594946.7 | 2010-12-17 |
科研产出