| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体结构及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;吴彬能;肖卫平;吴昊;梁擎擎 | PCT/CN2011/073304 | 2011-04-26 |
| 半导体结构及其制作方法 | 范正萍; 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | PCT/CN2011/073266 | 2011-04-25 |
| 半导体器件及其制作方法 | 范正萍; 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | PCT/CN2011/073296 | 2011-04-26 |
| 半导体结构及其制作方法 | 范正萍; 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 | PCT/CN2011/071318 | 2011-02-25 |
| 一种源漏区、接触孔及其形成方法 | 范正萍; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | PCT/CN2011/071086 | 2011-02-18 |
| 层间电介质层的平面化方法 | 范正萍; 殷华湘;徐秋霞;孟令款;杨涛;陈大鹏 | PCT/CN2011/071056 | 2011-02-17 |
| 半导体结构及其制造方法 | 范正萍; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | PCT/CN2011/071534 | 2011-03-04 |
| 接触电极制造方法和半导体器件 | 范正萍; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | PCT/CN2011/071251 | 2011-02-24 |
| 一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法 | 范正萍; 徐秋霞;许高博 | PCT/CN2011/071129 | 2011-02-21 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 范正萍; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201190000056.7 | 2011-10-19 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 范正萍; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201190000062.2 | 2011-10-20 |
| 晶体管及其制造方法 | 范正萍; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201190000074.5 | 2011-02-21 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 | 范正萍; 杨涛;赵超;闫江;李俊峰;卢一泓;陈大鹏 | 201110257658.7 | 2011-09-01 |
| 薄膜沉积方法 | 范正萍; 孟令款 | 201110197889.3 | 2011-07-14 |
| 3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法 | 范正萍; 肖卫平;朱慧珑 | 201110187333.6 | 2011-07-05 |
科研产出