| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种离子注入剂量检测控制方法 | 汪明刚,刘杰,夏洋,李超波,陈瑶,赵丽莉,李勇滔; | 201010255031.3 | 2010-08-17 |
| 3D集成电路及其制造方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2010/001435 | 2010-09-19 |
| 半导体器件及其制作方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2010/001429 | 2010-09-17 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 王文武,韩锴,陈世杰,王晓磊,陈大鹏; | PCT/CN2010/074371 | 2010-06-24 |
| 一种具有阻抗匹配的射频集成带通滤波器 | 刘欣,张海英,赵磊; | 201010232826.2 | 2010-07-21 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2010/000836 | 2010-06-11 |
| 鳍式晶体管结构及其制作方法 | 骆志炯,尹海洲,朱慧珑; | PCT/CN2010/074512 | 2010-06-25 |
| 用于调节PMOS器件的金属栅功函数的方法 | 徐秋霞,许高博; | PCT/CN2010/074596 | 2010-06-28 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2010/074392 | 2010-06-24 |
| 一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法 | 梁擎擎,徐秋霞,钟汇才,朱慧珑; | 201010230775.X | 2010-07-13 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑,梁擎擎,尹海洲,骆志炯; | 201010239273.3 | 2010-07-27 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 王文武,赵超,韩楷,马雪丽,陈大鹏; | 201010250698.4 | 2010-08-11 |
| 低功耗半导体存储器及其制作方法、驱动方法 | 梁擎擎,钟汇才,朱慧珑; | 201010233925.2 | 2010-07-19 |
| 超薄体晶体管及其制作方法 | 梁擎擎,钟汇才,朱慧珑; | 201010257023.2 | 2010-08-18 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 王文武,王晓磊,韩楷,陈大鹏; | 201010220687.1 | 2010-06-28 |
科研产出