| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 鳍式晶体管结构及其制作方法 | 骆志炯,朱慧珑,尹海洲; | PCT/CN2010/074396 | 2010-06-24 |
| 控制阀值电压特性的CMOSFET器件结构及其制造方法 | 王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏; | PCT/CN2010/074384 | 2010-06-24 |
| 控制器件阀值电压的CMOSFET结构及其制造方法 | 王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏; | PCT/CN2010/074387 | 2010-06-24 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎,钟汇才,朱慧珑; | PCT/CN2010/077285 | 2010-09-25 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 骆志炯,朱慧珑,尹海洲; | PCT/CN2010/074584 | 2010-06-28 |
| 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | PCT/CN2010/074145 | 2010-06-21 |
| 数字信号鉴频器及鉴频方法 | 鲁郁; | 201010612050.7 | 2010-12-29 |
| 红外焦平面阵列器件及其制作方法 | 欧文,刘战峰; | 201010267967.8 | 2010-08-30 |
| 热电堆红外探测传感器及其制作方法 | 欧文; | 201010267981.8 | 2010-08-30 |
| 混合沟道半导体器件及其形成方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | 201010273120.0 | 2010-09-03 |
| 半导体器件及其局部互连结构的制造方法 | 钟汇才,梁擎擎; | 201010259626.6 | 2010-08-20 |
| MOS晶体管及其形成方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | 201010233576.4 | 2010-07-16 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑,梁擎擎,钟汇才; | 201010239275.2 | 2010-07-27 |
| p型半导体器件及其制造方法 | 许高博,徐秋霞; | 201010233549.7 | 2010-07-16 |
| 3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法 | 朱慧珑; | 201010229286.2 | 2010-07-09 |
科研产出