| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法 | 周静涛; | 201010217202.3 | 2010-06-23 |
| 一种去除高熔点黏附剂的方法 | 汪宁,陈晓娟,罗卫军,庞磊,刘新宇; | 201010223347.4 | 2010-06-30 |
| 一种纳米级抛光液及其调配方法 | 汪宁; | 201010223346.X | 2010-06-30 |
| 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 | 黄俊; | 201010227180.9 | 2010-07-07 |
| 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法 | 汪宁; | 201010235058.6 | 2010-07-21 |
| 一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法 | 冀永辉; | 201010145102.4 | 2010-04-09 |
| 一种光学成像器件结构 | 冀永辉; | 201010145203.1 | 2010-04-09 |
| 一种降低存储器读干扰的电路及方法 | 王琴,柳江,刘明; | 201010162241.8 | 2010-04-28 |
| 一种制作半导体薄膜的方法 | 李冬梅; | 201010247730.3 | 2010-08-06 |
| 一种数字大规模集成电路综合过程中资源共享的方法 | 乔树山; | 201010219803.8 | 2010-07-07 |
| 半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2010/001489 | 2010-09-26 |
| 鳍式晶体管结构及其制作方法 | 骆志炯,朱慧珑,尹海洲; | PCT/CN2010/001447 | 2010-09-20 |
| 应变半导体沟道形成方法和半导体器件 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2010/001436 | 2010-09-19 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | PCT/CN2010/001438 | 2010-09-19 |
| 半导体器件及其制作方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2010/001419 | 2010-09-16 |
科研产出