| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种平板电极固定结构 | 席峰,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201110287921.7 | 2011-09-26 |
| 一种非金属真空腔室结构 | 席峰,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201110287953.7 | 2011-09-26 |
| 一种用于离子中性化的网板结构 | 席峰,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201110289007.6 | 2011-09-26 |
| 产生中性粒子束的装置及方法 | 席峰,李勇滔,李楠,张庆钊,夏洋; | 201110288064.2 | 2011-09-26 |
| 基于光子晶体自准直效应的光模数转换器量化方法 | 周静涛; | 201010504162.0 | 2010-09-30 |
| 控制背孔剖面形状的方法 | 魏珂,黄俊,刘果果,刘新宇; | 201010520271.1 | 2010-03-05 |
| 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 | 赵妙; | 201010233999.6 | 2010-04-09 |
| 多模视频解码器中帧内预测器结构 | 喻庆东,陈杰,周莉; | 201010241991.4 | 2010-07-30 |
| 一种复合型波带片光子筛 | 谢常青,潘一鸣,朱效立,贾佳,刘明; | 201010247543.5 | 2010-08-06 |
| 具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构 | 霍宗亮,刘明; | 201010235059.0 | 2010-07-21 |
| 一种制作大高宽比光子筛的方法 | 谢常青,辛将,朱效立,高南,刘明; | 201010544443.9 | 2010-11-12 |
| 高迁移率III-V族半导体MOS界面结构 | 刘洪刚; | 201010118896.5 | 2010-03-05 |
| 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 | 汪宁; | 201010145284.5 | 2010-04-09 |
| 一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法 | 杨成樾; | 201010199962.6 | 2010-06-08 |
| 一种检测器件肖特基漏电模式的方法 | 赵妙; | 201010217186.8 | 2010-06-23 |
科研产出