| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 多栅器件的形成方法 | 殷华湘,徐秋霞,陈大鹏; | PCT/CN2011/077667 | 2011-07-27 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | PCT/CN2011/002003 | 2011-11-30 |
| 半导体衬底隔离的形成方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/000613 | 2011-04-08 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2011/000263 | 2011-02-21 |
| 受控横向刻蚀方法 | 朱慧珑,骆志炯,尹海洲; | PPCT/CN2011/082703 | 2011-11-23 |
| 可调节沟道应力的器件与方法 | 殷华湘,徐秋霞,陈大鹏; | PCT/CN2011/000278 | 2011-02-23 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2011/000262 | 2011-02-21 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/000280 | 2011-02-23 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才,罗军,梁擎擎,朱慧珑; | PCT/CN2011/079040 | 2011-08-29 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 骆志炯,尹海洲,朱慧珑; | PCT/CN2011/071460 | 2011-03-02 |
| 一种半导体器件的制备方法 | 周华杰,徐秋霞; | PCT/CN2011/072527 | 2011-04-08 |
| 一种半导体器件的替代栅集成方法 | 许高博,徐秋霞; | PCT/CN2011/077905 | 2011-08-02 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑,梁擎擎,尹海洲,骆志炯; | PCT/CN2011/077864 | 2011-08-01 |
| 悬空鳍片及环栅场效应晶体管的制备方法 | 周华杰,宋毅,徐秋霞; | PCT/CN2011/071062 | 2011-02-17 |
| 半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑,吴昊,肖卫平; | PCT/CN2011/071485 | 2011-03-03 |
科研产出