专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
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一种字线偏置电路 | 杨诗洋,陈巍巍,陈岚,龙爽,雷镇海; | 201110391280.X | 2011-11-30 |
一种双路输出电荷泵电路 | 龙爽,陈岚,陈巍巍,杨诗洋,龚晨; | 201110391369.6 | 2011-11-30 |
过压检测电路 | 龙爽,陈岚,陈巍巍,杨诗洋,雷镇海; | 201110391552.6 | 2011-11-30 |
高电压开关电路 | 龙爽,陈岚,陈巍巍,杨诗洋,刘金辰; | 201110390716.3 | 2011-11-30 |
模拟开关电路 | 龙爽,陈巍巍,陈岚,杨诗洋,龚晨; | 201110391920.7 | 2011-11-30 |
一种III-V族半导体镍金属化制造方法 | 刘洪刚,王虹,卢力,常虎东,孙兵; | 201110429393.4 | 2011-12-20 |
压电纳米线的叠层结构及其制造方法 | 万里兮,周静; | 201110404235.3 | 2011-12-07 |
沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才,梁擎擎,尹海洲; | PCT/CN2011/070687 | 2011-01-27 |
MOS晶体管及其形成方法 | 钟汇才,梁擎擎,杨达,赵超; | PCT/CN2011/070695 | 2011-01-27 |
自对准金属硅化物的形成方法 | 罗军,赵超,钟汇才; | PCT/CN2011/070698 | 2011-01-27 |
一种新型匀气结构 | 夏洋,李勇滔,席峰,李楠,张庆钊; | 201110387800.X | 2011-11-29 |
微细结构的光刻方法 | 王红丽,闫江; | 201110006476.2 | 2011-01-13 |
一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | 201190000059.0 | 2011-10-19 |
堆叠的半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎,钟汇才,赵超,朱慧珑; | PCT/CN2011/071057 | 2011-02-17 |
半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑,梁擎擎,尹海洲,骆志炯; | PCT/CN2011/071530 | 2011-03-04 |
科研产出