| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑,梁擎擎; | 201010223858.6 | 2010-07-01 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑,尹海洲,骆志炯; | 201010223868.X | 2010-07-01 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201010215125.8 | 2010-06-22 |
| 一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法 | 龙世兵,刘明,刘琦,吕杭炳,陈宝钦,牛洁斌,王艳花,张康玮; | 201010574384.X | 2010-12-06 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 朱慧珑; | 201010189992.9 | 2010-05-25 |
| 一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法 | 钟汇才,梁擎擎; | 201010175815.5 | 2010-05-14 |
| 半导体器件及其形成方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201010185012.8 | 2010-05-20 |
| 快速读写海量数据文件的方法 | 吴玉平,陈岚,叶甜春; | 201010118129.4 | 2010-03-04 |
| 半导体结构的形成方法 | 钟汇才,梁擎擎,尹海洲,朱慧珑; | 201010111076.3 | 2010-02-11 |
| 一种半导体结构及其形成方法 | 朱慧珑,骆志炯,尹海洲; | 201010185025.5 | 2010-05-20 |
| 半导体结构及其形成方法 | 钟汇才,梁擎擎; | 201010033874.9 | 2010-01-11 |
| 一种超临界水射流清洗设备 | 高超群,景玉鹏; | 201010145225.8 | 2010-04-09 |
| 一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法 | 徐秋霞,李永亮; | 201010145261.4 | 2010-04-09 |
| 存储器件及其制造方法 | 梁擎擎,钟汇才; | 201010157573.7 | 2010-04-21 |
| 以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 | 李永亮,徐秋霞; | 201010157538.5 | 2010-04-21 |
科研产出