| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体晶片的制造方法 | 钟汇才,梁擎擎,赵超; | PCT/CN2011/071303 | 2011-02-25 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000065.6 | 2011-10-20 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000075.X | 2011-02-23 |
| 一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | 201190000073.0 | 2011-04-06 |
| 半导体器件及其制造方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | 201190000081.5 | 2011-11-01 |
| 穿硅通孔结构及其形成方法 | 赵超,陈大鹏,欧文; | PCT/CN2011/072593 | 2011-04-11 |
| 线宽测量方法 | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯; | PCT/CN2011/077477 | 2011-07-22 |
| 晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎,朱慧珑,钟汇才; | PCT/CN2011/000305 | 2011-02-25 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2011/000290 | 2011-02-24 |
| 3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法 | 朱慧珑; | PCT/CN2011/000281 | 2011-02-23 |
| 提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 | 杨涛,赵超,李俊峰; | PCT/CN2011/000692 | 2011-04-20 |
| 多晶硅假栅移除后的监控方法 | 杨涛,赵超,李俊峰,闫江,陈大鹏; | PCT/CN2011/001992 | 2011-11-29 |
| 后栅工艺中假栅的制造方法 | 杨涛,赵超,闫江,李俊峰,卢一泓,陈大鹏; | PCT/CN2011/002001 | 2011-11-30 |
| 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 | 尹海洲,骆志炯,朱慧珑; | PCT/CN2011/070691 | 2011-01-27 |
| 鳍式场效应晶体管的制造方法 | 梁擎擎,朱慧珑,钟汇才; | PCT/CN2011/078196 | 2011-08-10 |
科研产出