| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种高频功率器件的稳定网络 | 罗卫军; | 200910312949.4 | 2009-12-31 |
| 一种硅基III-V族半导体材料的集成 方法 | 刘洪刚; | 200910312160.9 | 2009-12-24 |
| 一种单时钟多速率的OFDM发射装置结构 | 张振东; | 200910312115.3 | 2009-12-24 |
| 等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法 | 刘邦武,王文东,夏洋,李超波; | 201010209823.7 | 2010-06-25 |
| 基片离子均匀注入的方法 | 刘杰,汪明刚,夏洋,李超波,罗威,罗小晨,李勇滔; | 201010209816.7 | 2010-06-25 |
| 等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置 | 汪明刚,刘杰,夏洋,李超波,陈瑶,赵丽莉,李勇滔; | 201010255068.6 | 2010-08-17 |
| 一种硅片去胶装置及方法 | 王磊,景玉鹏; | 201010209822.2 | 2010-06-25 |
| 打孔系统及方法 | 王磊,景玉鹏; | 201010226286.7 | 2010-07-14 |
| 硅片打孔系统及方法 | 王磊,景玉鹏; | 201010226293.7 | 2010-07-14 |
| 清洗系统及方法 | 王磊,景玉鹏; | 201010250914.5 | 2010-08-11 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑,梁擎擎,骆志炯,尹海洲; | 201010147601.7 | 2010-04-14 |
| 一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法 | 李永亮,徐秋霞; | 201010157530.9 | 2010-04-21 |
| 一种闪存器件及其制造方法 | 朱慧珑; | 201010162280.8 | 2010-04-28 |
| 3D集成电路及其制造方法 | 朱慧珑; | 201010189140.X | 2010-05-24 |
| 一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法 | 蒲颜,庞磊,陈晓娟,欧阳思华,李艳奎,刘新宇; | 201010575278.3 | 2010-12-07 |
科研产出