香港中文大学萧旭东教授来微电子所进行学术交流

2011-09-29

微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破

2011-09-26

中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。 该阶段性成果标志着微电子所IGBT...

微电子所“等离子体增强原子层沉积系统”在第二十届全国发明展上荣获金奖

2011-09-21

微电子所博士生刘杰荣获等离子体注入与沉积国际会议优秀学生论文奖

2011-09-20

2011年9月8日至12日，第十一届等离子体注入和沉积国际会议（PBII&D）在哈尔滨召开，我所微电子设备技术研究室（八室）博士生刘杰在大会上作了题为《A Novel Method to Texture Silicon for S...

江绵恒副院长到微电子所调研

2011-09-06

9月4日，中国科学院副院长江绵恒到微电子所调研。江绵恒副院长一行参观了微电子所集成电路工艺净化间和实验室，听取了科研成果展示介绍，了解了微电子所牵头承担的国家科技重大专项“极大规...