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北京市政协第八次“科技讲堂”在微电子所举行
2018-11-14
11月13日，北京市政协第八次“科技讲堂”在微电子所举行，围绕中国集成电路产业创新发展进行专题学习。微电子所所长叶甜春作授课报告。北京市政协主席吉林，副主席杨艺文、陈军，以及北京市...
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中国集成电路产业发展创新战略研讨会暨微电子所建所60周年庆祝大会召开
2018-10-22
10月20日，中国集成电路产业发展创新战略研讨会暨庆祝微电子所建所60周年大会召开。来自院内兄弟单位、行业企业、高校、科研院所和地方政府的各级领导、专家学者和业界朋友，以及微电子所领...
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微电子所在8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆
2018-08-30
近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge...
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微电子所在氮化镓界面态研究中取得创新性进展
2018-06-25
近期，中国科学院微电子研究所刘新宇研究员团队及合作者（中国科学院固体物理研究所王先平课题组、中国科学院微电子研究所先导中心工艺平台等）在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。...
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微电子所在新型硅基环栅纳米线MOS器件研究中取得重要进展
2018-04-24
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（ Gate-all-around silicon nanowire ， GAA SiNW ） MOS器件的结构和制造方法研究上取得...
综合信息