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金属所发现空位诱导的二维材料薄膜超快离子传输
2020-11-09
10月30日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部在二维材料物性研究方面取得新进展，相关研究成果以CdPS3 nanosheets-based membrane with high proton conductivity enabled by Cd vacancies为题，发表在Science上。目前， Nafion膜是常用的商业质子传导膜，它以磺酸基为质子供体中心，质子通...
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用于物联网尘埃的III-V光伏器件
2020-11-09
美国IBM T J Watson研究中心开发了一种晶圆级封装工艺，将III-V光伏（ PV ）器件与电子元件集成起来，以实现物联网（ IoT ）应用。研究人员声称，他们的尘埃大小的器件“比所有先前在硅（ Si ）和绝缘体上的硅（ SOI ）衬底上的微pv获得更高的功率密度” 。研究人员报告说： “我们的研究表明，我们的单片集成微型光伏是...
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IGaN通过150mm的GaN-on-Si外延片实现低传导损耗，适用于RF应用
2020-11-09
新加坡IGSS GaN Pte Ltd （ IGaN ）指出，近年来，由于GaN功率和RF器件在各种应用中的采用越来越多， GaN基产品的需求不断增长。该公司开发并商业化了GaN-on-Si / SiC外延晶片和专有的8英寸（ 200毫米） GaN制造技术，用于功率、 RF和传感器应用。GaN基材料的宽禁带可提供显著的击穿电场和高漂移速度，适用于制造大功率...
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优化SiC MOSFET性能
2020-11-05
美国纽约州立大学理工学院（ SUNY Poly ）的两名研究人员声称4H多型碳化硅（ SiC ）侧向金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）具有创纪录的性能。特别是栅漏间距为2.5 μ m的0.3 μ m沟道器件可实现7.7m Ω - cm2的比导通电阻和450V击穿。两名研究人员设计了各种尺寸不同的MOSFET ，衬底具有6 μ m重掺杂n +漂移层。...
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物理所等高压制备出发光磁性半导体
2020-11-05
磁性半导体具有特殊的磁电和磁光性质，是先进多功能自旋电子器件的重要候选材料。然而，大多数磁性半导体，如磁性离子掺杂的稀磁半导体以及EuO 、 CdCr2S4等非掺杂的本征铁磁半导体，均具有低于室温的磁有序温度，这限制了这类材料的潜在应用。因而，如何制备出具有室温以上磁有序温度且磁、光、电等功能属性耦合在一起...
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苏州纳米所等在氮化硼气凝胶薄膜及其相变复合材料研究中获进展
2020-10-28
气凝胶是一种具有三维多孔网络结构的超轻固体材料，具有超低热导率，能够作为一种超级隔热材料，在航天航空、建筑节能、电动汽车及便携式电子设备等领域发挥作用。气凝胶自身具有的弱力学强度使其后加工（如切割、压缩）相对困难。因此，对气凝胶低维宏观形态的设计仍具挑战性，这制约气凝胶材料在限域空间热量管理功能...
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深圳先进院开发出光热相变储能微胶囊
2020-10-27
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋团队开发出新型光热相变储能微胶囊。相关工作以Phase-Changing Microcapsules Incorporated with Black Phosphorus for Efficient Solar Energy Storage为题发表在《先进科学》 （ Advanced Science ）上。近年来，将光热材料与相变材料结合的相变储能微胶囊技术逐渐进入...
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大连化物所研发出柔性相变储能材料膜
2020-10-27
近日，中国科学院大连化学物理研究所氢能与先进材料研究部热化学研究组（ DNL1903 ）研究员史全团队，与催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组（ 508组）研究员吴忠帅团队合作，通过简单易行的合成策略，开发出一种柔性相变储能材料膜。并将其与柔性石墨烯膜相结合应用于可穿戴热管理器件。该相变材料膜机...
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多量子阱（MQW）III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力
2020-10-26
中国和日本的研究人员一直在探索多量子阱（ MQW ） III氮化物二极管阵列的同时发射检测能力。研究团队希望可以用这种多功能设备，开发用于物联网（ IoT ）部署的先进整体式III族氮化物信息系统。III族氮化物二极管具有发射和检测光的能力。研究人员实现了自动光亮度控制设置，其中405nm激光指示器可以发出编码的脉冲序列...
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Axus和CP共同开发CMP，以将微型LED晶圆粘合到CMOS背板
2020-10-26
美国Axus技术公司宣布与复合光子公司（ CP Display ）建立合作伙伴关系美，加速将5 μ m像素以下的micro-LED推向大众市场。具体来说， Axus将部署Capstone CMP系统，该系统集成了CMP后清洁功能，现晶圆平面化和表面制备工艺解决方案，以将microLED晶圆与高性能CMOS背板进行晶圆级键合。自2020年初以来， Axus与CP合作开...
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苏州纳米所高性能锂二次电池研究获进展
2020-10-26
随着电动汽车和移动电子产品的发展，社会对能源存储与转化提出更高要求，继锂离子电池之后，可充电电池的高能量密度、高倍率充放电、高循环稳定性成为需求。锂硫电池凭借其高能量密度（ 2600 Whkg-1 ） 、经济环保等优势成为下一代储能体系的候选者。然而，如单质硫与硫化锂的不导电性、多硫化锂中间产物的穿梭效应及充...
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大连化物所制备出高效率大面积钙钛矿太阳组件电池
2020-10-23
近日，中国科学院大连化学物理研究所薄膜太阳能电池研究组研究员刘生忠、博士王开团队采用狭缝涂布制备方法，结合高压氮气萃取和离子液体钝化钙钛矿界面技术，制备出钙钛矿太阳能电池，该电池小面积效率达到22.7% （ 0.09cm2 ） ，大面积组件达到19.6% （ 7.92cm2 ） 。研究人员采用狭缝涂布沉积技术，结合高压氮气萃取...
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物理所在笼型富氢化物LaH10高温超导电性研究中取得进展
2020-10-22
20世纪80年代发现的铜氧化物高温超导体为实现室温超导带来希望，但是经过30多年的研究，最高Tc （常压下~ 134K ，高压下~ 164K ）很难进一步提高，而且非常规超导机理至今仍悬而未决。近年来，按照这一思路，在理论设计和实验合成富氢高温超导体方面取得进展， 2014年发现硫化氢在高压条件下呈现出Tc = 203K的高温超导电...
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深圳先进院在高性能电磁屏蔽材料研究方面取得进展
2020-10-22
高频高速5G通信技术和高集成度、轻薄智能电子产品的发展，方便了人们的生产生活，同时突显出电磁干扰的严重性。发展新型电磁屏蔽材料是解决电磁污染的关键技术，特别是超薄、轻质且具有优异力学强度和可靠性的高性能电磁屏蔽材料。碳纳米管具有极高的导电和力学性能，在电磁屏蔽领域具有广泛的潜在应用前景。然而，当碳...
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超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究获进展
2020-10-22
以光为信息载体实现通信的光通信技术，凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。执行光电信号转换的光电探测器是光电链路的基本组成部分之一，虽然硅基光电探测器广泛应用于可见光谱范围（ 0.4 - 0.7 μ m ） ，但通讯窗口1.31 μ m和1.55 μ m的近红外光子能量并不足以克服Si带隙（ 1.12 ...
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兰州化物所等在石墨烯摩擦表界面结构演变研究中获进展
2020-10-21
石墨烯具有二维薄层结构，是一种具有潜力的新型润滑材料。近年来的研究表明，具有原子厚度的石墨烯在微观接触尺度下具有超滑特性，在宏观接触方式下展现出摩擦学特性，但是均依赖于理想的石墨烯表界面结构。因此，实现石墨烯摩擦表界面结构的调控对于获得优异的摩擦学性能、推动其实际应用具有重要意义。近日，中国科学...
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上海硅酸盐所在高导热氮化硅陶瓷研究中取得进展
2020-10-21
电子电力器件在高速铁路、新能源汽车、航空航天、太阳能及风力发电等领域应用广泛。近年来，电子电力器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出更高要求。目前，常用的氧化铝基板热导率低、氮化铝基板可靠性差，限制其在高端功率半导体器件中的应用。氮化硅陶瓷基板具有高强度、高韧性、高绝缘...
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首片国产6英寸碳化硅晶圆产品在上海临港发布
2020-10-21
据上海临港官微报道， 10月16日，首片国产6英寸碳化硅（ SiC ） MOSFET （金属氧化物场效应晶体管）晶圆在上海临港正式发布，填补了国内在此领域的空白，未来市场容量可达百亿美金。据上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙介绍，如果用了碳化硅MOSFET （金属氧化物场效应晶体管）新能源汽车作电驱动的话，续航里程可以有5%...
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富士胶片和住友化学拟于2021年供应新型EUV光刻胶
2020-10-21
据日经亚洲评论报道，富士胶片 (Fujifilm Holdings)和住友化学(Sumitomo Chemical)最早将于2021年开始供应用于下一代芯片制造的光刻胶，该材料可能有助于让智能手机及其他设备朝更小、更节能化的方向发展。 据悉，这两家日本公司正在研制一种特殊的EUV（极紫外）光刻胶。目前，日本JSR和信越化学株式会社等控制了全球大...
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台积电2nm工艺将采用环绕栅极晶体管技术
2020-10-21
据国外媒体报道，在5nm工艺今年一季度投产，为苹果等客户代工最新的处理器之后，芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家透露，他们3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（ FinFET ） ，计划在明年风险试...
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